基本信息:
- 专利标题： 웨이퍼의 분할 방법
- 专利标题（英）：Method of dividing wafer
- 专利标题（中）：分割方法
- 申请号：KR1020140100814 申请日：2014-08-06
- 公开(公告)号：KR1020150017674A 公开(公告)日：2015-02-17
- 发明人： 마츠자키사카에 , 마스다다카토시 , 마에모토노조미 , 요시노유 , 세노오다케히코 , 아이다도시히로 , 비로도모야
- 申请人： 가부시기가이샤 디스코 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
- 申请人地址： **-**, Omori-Kita *-chome, Ota-ku, Tokyo, ***-**** Japan
- 专利权人： 가부시기가이샤 디스코,이와타니 산교 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 가부시기가이샤 디스코,이와타니 산교 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： **-**, Omori-Kita *-chome, Ota-ku, Tokyo, ***-**** Japan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： JPJP-P-2013-164095 2013-08-07
- 主分类号： H01L21/301
- IPC分类号： H01L21/301 ; H01L21/76
摘要：
(과제) 크랙의 성장을 억제하면서, 칩 측면에 잔존한 개질 영역이나 파편을 제거하는 것.
(해결수단) 웨이퍼의 분할 방법은, 스트리트(75)를 따라서 레이저광을 조사하여 웨이퍼(W)의 내부에 개질 영역(77)을 형성하는 공정과, 개질 영역을 기점으로 웨이퍼를 개개의 칩(C)으로 분할하는 공정과, 웨이퍼가 투입된 처리실 내를 진공 상태로 하고, 처리실 내를 불활성 가스로 채우는 공정과, 불활성 가스로 채워진 처리실 내에 에칭 가스를 도입하여 칩 측면(78)을 에칭하는 공정을 갖고 있다.
摘要（中）：
(해결수단) 웨이퍼의 분할 방법은, 스트리트(75)를 따라서 레이저광을 조사하여 웨이퍼(W)의 내부에 개질 영역(77)을 형성하는 공정과, 개질 영역을 기점으로 웨이퍼를 개개의 칩(C)으로 분할하는 공정과, 웨이퍼가 투입된 처리실 내를 진공 상태로 하고, 처리실 내를 불활성 가스로 채우는 공정과, 불활성 가스로 채워진 처리실 내에 에칭 가스를 도입하여 칩 측면(78)을 에칭하는 공정을 갖고 있다.
本发明的目的是在抑制裂纹的生长的同时，除去残留在芯片侧面的修饰区域或碎片。 一种分割晶片的方法包括：沿着街道（75）照射激光束以在晶片内部形成改质区域（77）的步骤;将晶片划分成独立的芯片（C）的步骤，以由经修改的 放置处理室的步骤，其中将晶片充电到真空状态并用惰性气体填充处理室;以及将蚀刻气体引入填充有惰性气体的处理室中以蚀刻侧面（78）的步骤 ）的芯片。
摘要（英）：
(Tasks) to and inhibit the growth of cracks, removing a modified region or debris remaining on the chip side.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS division method of the wafer, the wafer starting from the step, a modified region to form a modified region 77, the street 75, therefore the inside of the wafer (W) is irradiated with laser light individual chips ( C) introducing an etching gas into the processing chamber filled with the in process and the wafer is put treatment chamber in a vacuum state, and the processing chamber for dividing a step, an inert gas filling with an inert gas as in the step of etching the chip side (78) It has.
公开/授权文献:
- KR102062410B1 웨이퍼의 분할 방법 公开/授权日：2020-01-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/301 | .....把半导体再细分成分离部分，例如分隔 |