基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：KR1020130086896 申请日：2013-07-23
- 公开(公告)号：KR1020150011658A 公开(公告)日：2015-02-02
- 发明人： 웅준걸 , 차동호 , 강명진 , 도기훈
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인 고려
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
반도체 장치 및 그 제조방법이 제공된다. 제조방법은 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판을 제공하는 것, 상기 제1 영역에 제1 마스크 패턴들을 형성하는 것, 및 상기 제2 영역에 상기 제1 마스크 패턴들과 식각 선택성이 다른 제2 마스크 패턴들을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 마스크 패턴들 및 상기 제2 마스크 패턴들은 동시에 형성된다.
摘要（中）：
提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供包括第一区域和第二区域的衬底; 在所述第一区域上形成第一掩模图案; 以及与第二区域上的第一掩模图案相比，形成具有不同蚀刻选择性质的第二掩模图案。 同时形成第一掩模图案和第二掩模图案。
摘要（英）：
The semiconductor device and its manufacturing method are provided. Method includes a first region and a to provide a substrate including a second region, the first to form the first mask pattern in an area, and wherein said first the first mask pattern and the etching selectivity different to the second area claim includes forming a second mask pattern. The first mask pattern and the second mask pattern are formed simultaneously.
公开/授权文献:
- KR102061265B1 반도체 장치 및 그 제조방법 公开/授权日：2019-12-31
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |