基本信息:
- 专利标题： 그래핀의 가공 방법, 그래핀 나노리본의 제조 방법 및 그래핀 나노리본
- 专利标题（英）：Method for processing graphene, method for producing graphene nanoribbons, and graphene nanoribbons
- 专利标题（中）：用于处理石墨的方法，用于生产石墨纳米颗粒的方法和石墨纳米颗粒
- 申请号：KR1020147026445 申请日：2013-03-27
- 公开(公告)号：KR1020150006417A 公开(公告)日：2015-01-16
- 发明人： 마츠모토,다카시
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 성재동
- 优先权： JPJP-P-2012-086173 2012-04-05
- 国际申请： PCT/JP2013/058909 2013-03-27
- 国际公布： WO2013150931 2013-10-10
- 主分类号： C01B31/04
- IPC分类号： C01B31/04 ; B01J19/12
2 O 분자를 포함하는 기체(수증기)를 도입한다. 도입된 수증기는, 단열 팽창에 의한 냉각에 의해 응집되어, 빔 형상의 H
2 O 클러스터가 형성된다. 조사부(20) 내에 도입된 H
2 O 클러스터는, 이온화 장치(22)에 의해 이온화된다. 이온화되어 플러스로 대전된 H
2 O 클러스터는, 이온화 장치(22)보다 낮은 전압이 인가된 복수의 전극(23A 내지 23D)에 의해 인출되어, 전극(23A 내지 23D)에 의해, 가속, 빔의 집속 및 클러스터 사이즈의 분리가 행하여진 후, 시트 형상의 그래핀이 형성된 기판(S)에 조사되어, 그래핀을 에지 형상이 암체어형인 나노 리본으로 에칭한다.
And introducing a gas (water vapor), including the H
2 O molecules in a cluster generating unit 10 through the nozzles 12 of the gas cluster ion beam apparatus 100. The introduction of water vapor, is agglomerated by the cooling due to the adiabatic expansion, to form the beam shape of H
2 O cluster. The H
2 O is introduced into the cluster, the check block 20 is ionized by the ionizer 22. By the ionization of H
2 O cluster positively charged has been drawn by the plurality of the applied voltage lower than the ionization device (22) electrodes (23A to 23D), the electrodes (23A to 23D), the acceleration, the focusing of the beam and after separation of the cluster size binary performed, is irradiated to the substrate is formed of graphene sheet-like (S), So is the pin-shaped edge is etched in armchair type nanoribbons.