基本信息:
- 专利标题： 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법
- 专利标题（英）：Nonvolatile memory device using variable resistive element and driving method thereof
- 专利标题（中）：使用可变电阻元件的非易失性存储器件及其驱动方法
- 申请号：KR1020130074628 申请日：2013-06-27
- 公开(公告)号：KR1020150002949A 公开(公告)日：2015-01-08
- 发明人： 이용준 , 정회주 , 권용진 , 권효진 , 박은혜
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인가산
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00 ; G11C16/06
摘要：
저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 비휘발성 메모리 장치는 버퍼 메모리; 상기 버퍼 메모리에 저장된 제1 데이터를 제1 리드하는 리드 회로; 상기 제1 리드 동작 중에, 상기 버퍼 메모리에 제2 데이터를 제1 라이트하라는 제1 내부 라이트 명령이 발생되어도, 상기 제1 리드 동작이 종료된 후에, 상기 제1 라이트 동작을 수행하는 라이트 회로를 포함한다.
摘要（中）：
提供一种使用电阻元件来提高可靠性的非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括缓冲存储器，执行存储在缓冲存储器中的第一数据的第一读取操作的读取电路和在第一读取操作完成之后执行第一写入操作的写入电路，即使第一内部 在第一读取操作中生成在缓冲存储器中执行第二数据的第一写入操作的写入命令。
摘要（英）：
The non-volatile memory device and a manufacturing method using a resistor is provided. The non-volatile memory device is a buffer memory; The read circuit to the first lead of the first data stored in the buffer memory; During the first read operation, even when the first internal write command to the second data in the buffer memory asked first light occurs after the first read operation is finished, comprises a write circuit for performing a first write operation do.
公开/授权文献:
- KR102080542B1 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 公开/授权日：2020-02-25