基本信息:
- 专利标题： 레이저 다이오드 디바이스
- 专利标题（英）：Laser diode device
- 专利标题（中）：激光二极管器件
- 申请号：KR1020147019993 申请日：2013-03-11
- 公开(公告)号：KR1020150002578A 公开(公告)日：2015-01-07
- 发明人： 슈트라우스우베 , 타우쯔죈케 , 렐알프레드 , 피에르하일리크클레멘스
- 申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
- 申请人地址： Leibnizstrasse *, ***** Regensburg, Germany
- 专利权人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
- 当前专利权人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
- 当前专利权人地址： Leibnizstrasse *, ***** Regensburg, Germany
- 代理人： 김태홍
- 优先权： DE10 2012 103 1606 2012-04-12
- 国际申请： PCT/EP2013/054890 2013-03-11
- 国际公布： WO2013152909 2013-10-17
- 主分类号： H01S5/022
- IPC分类号： H01S5/022 ; H01S5/024 ; H01S5/323
摘要：
본 발명은, 실장부(11)를 구비한 하우징(1)과, 하우징(1) 내에서 실장부(11) 상에 실장되고 질화물 화합물 반도체 재료를 기반으로 하는 레이저 다이오드 칩(2)을 포함하는 레이저 다이오드 디바이스에 관한 것이며, 레이저 다이오드 칩(2)은 땜납층(3)에 의해 실장부(11) 상에 직접적으로 실장되고 땜납층(3)은 3㎛보다 두껍거나 그와 동일한 두께를 보유한다.
摘要（英）：
The invention, comprising a housing (1) and the housing (1) within the being mounted on the mounting portion (11) laser diode chip (2) that is based on a nitride compound semiconductor material having a mounting portion (11) relates to a laser diode device, a laser diode chip (2) is being directly mounted to the mounting portion 11 by a solder layer 3, the solder layer 3 is thicker than or the same thickness as the holding 3㎛ .
公开/授权文献:
- KR101960128B1 레이저 다이오드 디바이스 公开/授权日：2019-03-19