基本信息:
- 专利标题: 레이저 및 플라즈마 에칭에 의한 기판 다이싱을 위한 수용성 마스크
- 专利标题(英):Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
- 专利标题(中):用于激光和等离子体蚀刻的基底的水溶性掩模
- 申请号:KR1020147032001 申请日:2012-05-25
- 公开(公告)号:KR1020150001827A 公开(公告)日:2015-01-06
- 发明人: 레이,웨이-솅 , 싱흐,사라브지트 , 얄라만칠리,매드하바,라오 , 이튼,브래드 , 쿠마르,아제이
- 申请人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人: 특허법인 남앤드남
- 优先权: US13/160,891 2011-06-15
- 国际申请: PCT/US2012/039746 2012-05-25
- 国际公布: WO2012173768 2012-12-20
- 主分类号: H01L21/78
- IPC分类号: H01L21/78 ; H01L21/301 ; H01L21/76
摘要:
복수의 IC들을 갖는 기판들을 다이싱하는 방법들이 개시된다. 방법은 수용성 재료 층을 포함하는 마스크를 반도체 기판 위에 형성하는 단계를 포함한다. 갭들을 갖는 패터닝된 마스크를 제공하기 위해, 펨토초 레이저 스크라이빙 프로세스로 마스크가 패터닝된다. 패터닝은 IC들 사이의 기판의 구역들을 노출시킨다. 그 후에, IC를 싱귤레이팅하기 위해, 패터닝된 마스크에서의 갭들을 통해 기판이 에칭되고, 수용성 재료 층이 세척제거된다.
摘要(英):
Methods of dicing the substrate having a plurality of IC is disclosed. The method includes forming a mask containing a water-soluble material layer on a semiconductor substrate. To provide a patterned mask having the gap, the femtosecond laser's mask by dicing process and is patterned. Patterning the exposed region of the substrate between the IC. Thereafter, in order to singgyul rating the IC, and the substrate is etched through the gaps in the patterned mask, the water-soluble material layer are removed washing.
公开/授权文献:
- KR102036728B1 레이저 및 플라즈마 에칭에 의한 기판 다이싱을 위한 수용성 마스크 公开/授权日:2019-10-25
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |