基本信息:
- 专利标题： 배치식 기판처리 장치
- 专利标题（英）：Batch type apparatus for processing substrate
- 专利标题（中）：用于处理基板的批量类型设备
- 申请号：KR1020130072880 申请日：2013-06-25
- 公开(公告)号：KR1020150000605A 公开(公告)日：2015-01-05
- 发明人： 이병일 , 이태완 , 유한길
- 申请人： 주식회사 테라세미콘
- 申请人地址： 경기 화성시 동탄면 경기동로 ***-**,
- 专利权人： 주식회사 테라세미콘
- 当前专利权人： 주식회사 테라세미콘
- 当前专利权人地址： 경기 화성시 동탄면 경기동로 ***-**,
- 代理人： 김한
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L21/02
摘要：
배치식 기판처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 배치식 기판처리 장치는, 복수개의 기판(40)이 적층된 기판적재부(500)가 수용되는 기판처리부(100); 및 기판처리부(100)에 기판처리 가스를 공급하는 가스 공급부(200)를 포함하며, 기판처리부(100)는 플랫한 최상면을 구비하는 것을 특징으로 한다.
摘要（中）：
公开了能够减少内部空间的间歇式基板处理装置。 根据本发明的间歇式基板处理装置包括：基板处理单元（100），其接收堆叠有多个基板（40）的基板装载单元（500）;以及气体供给单元（200），其供给 衬底处理气体到衬底处理单元（100）。 基板处理单元（100）具有平坦的最上表面。
摘要（英）：
The batch type substrate processing apparatus is disclosed. Batch type substrate processing apparatus according to the present invention, a plurality of substrates 40 are laminated substrate loading part 500 is a substrate processing received (100); And a substrate processing unit comprises a gas supply unit 200 for supplying a process gas to the substrate 100, the substrate processing unit 100 is characterized by having a flat top surface.
公开/授权文献:
- KR101512329B1 배치식 기판처리 장치 公开/授权日：2015-04-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |