基本信息:
- 专利标题： 응력 변형된 반도체 구조물 형성 방법
- 专利标题（英）：Method for forming a strained semiconductor structure
- 专利标题（中）：形成应变半导体结构的方法
- 申请号：KR1020130153311 申请日：2013-12-10
- 公开(公告)号：KR1020150000386A 公开(公告)日：2015-01-02
- 发明人： 이승훈 , 위터스리에스베스제이 , 루로저
- 申请人： 삼성전자주식회사 , 엥떼르위니베르시테르 미크로엘렉트로니카 쌍트륌 베제드두블르베
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사,엥떼르위니베르시테르 미크로엘렉트로니카 쌍트륌 베제드두블르베
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사,엥떼르위니베르시테르 미크로엘렉트로니카 쌍트륌 베제드두블르베
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 优先权： EP131733800 2013-06-24
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/76
摘要：
응력 변형된 반도체 구조물을 형성하는 방법에서, 응력 완화된 버퍼층을 제공한다. 응력 완화된 버퍼층 위에 희생층을 형성한다. 희생층을 관통하는 STI 구조물을 형성한다. 희생층 위에 있는 산화막의 적어도 일부를 제거한다. 응력 완화된 버퍼층의 일부가 노출되도록 희생층을 식각한다. 응력 완화된 버퍼층의 노출된 일부 위에 응력 변형된 반도체 구조물을 형성한다.
摘要（中）：
提供一种形成应变半导体结构的方法，其提供应变松弛缓冲层。 在应变松弛缓冲层上形成牺牲层。 通过牺牲层形成浅沟槽隔离结构。 去除牺牲层上的氧化物层的至少一部分。 蚀刻牺牲层，使得应变松弛缓冲层的一部分露出。 应变弛豫缓冲层的暴露部分上形成应变半导体结构。
摘要（英）：
In the method of forming the strain of the semiconductor structure, and provides a stress relief buffer. Forming a sacrificial layer over the stress relieving buffer layer. To form an STI structure extending through the sacrificial layer. And removing at least a portion of the oxide film over the sacrificial layer. Part of the stress relaxation buffer layer and etch the sacrificial layer so as to be exposed. Forms a straining a semiconductor structure over the exposed portion of the stress relaxation buffer.
公开/授权文献:
- KR102142587B1 응력 변형된 반도체 구조물 형성 방법 公开/授权日：2020-09-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |