基本信息:
- 专利标题： 전기광학 단결정소자, 그 제조방법 및 그 소자를 이용한 시스템
- 专利标题（英）：Electro-optical single crystal element, method for the preparation thereof, and systems employing the same
- 专利标题（中）：电光单晶体元件及其制备方法及使用其的系统
- 申请号：KR1020147030887 申请日：2013-04-04
- 公开(公告)号：KR1020140146166A 公开(公告)日：2014-12-24
- 发明人： 한펑디 , 얀웨일링
- 申请人： 한 펑디
- 申请人地址： **** Vernal Lane, Napierville, IL ***** U.S.A.
- 专利权人： 한 펑디
- 当前专利权人： 한 펑디
- 当前专利权人地址： **** Vernal Lane, Napierville, IL ***** U.S.A.
- 代理人： 방해철; 김용인
- 优先权： US61/686,350 2012-04-04; US61/802,796 2013-03-18
- 国际申请： PCT/US2013/035343 2013-04-04
- 国际公布： WO2013152241 2013-10-10
- 主分类号： G02B1/02
- IPC分类号： G02B1/02 ; G02F1/05 ; G02F1/355 ; G02F1/00 ; B29D11/00 ; G02F1/01 ; G02F1/21 ; G02B1/04
摘要：
본 발명은 전기광학(EO) 결정소자, 그 적용 및 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 광범위한 변조, 통신, 레이저, 및 전기광학 산업 용도에서 초고 선형 EO 계수(γ
c ), 가령 1100 pm/V 보다 큰 횡유효 선형 EO 계수 및 527 pm/V까지의 종유효 선형 EO 계수를 나타내며, 이로 인해 200V 미만의 매우 낮은 반파전압(V
l ) 및 87V 미만의 매우 낮은 반파전압(V
T )을 나타내는 (도핑되거나 미도핑된 PMN-PT, PIN-PMN-PT 또는 PZN-PT 강유전체 결정으로 제조될 수 있는) EO 결정소자에 관한 것이다.
摘要（中）：
c ), 가령 1100 pm/V 보다 큰 횡유효 선형 EO 계수 및 527 pm/V까지의 종유효 선형 EO 계수를 나타내며, 이로 인해 200V 미만의 매우 낮은 반파전압(V
l ) 및 87V 미만의 매우 낮은 반파전압(V
T )을 나타내는 (도핑되거나 미도핑된 PMN-PT, PIN-PMN-PT 또는 PZN-PT 강유전체 결정으로 제조될 수 있는) EO 결정소자에 관한 것이다.
本发明涉及电光（E-O）晶体元件，其应用及其制备方法。 更具体地，本发明涉及显示超高线性EO系数yc的EO晶体元件（其可以由掺杂或未掺杂的PMN-PT，PIN-PMN-PT或PZN-PT铁电晶体制成），例如， 横向有效线性EO系数yTc大于1100 pm / V，纵向有效线性EO系数ytc高达527 pm / V，这导致非常低的半波长电压Vtx低于200V，Vtx低于约87V，在广泛的调制 通信，激光和工业用途。
摘要（英）：
The present invention relates to an electro-optic (EO) crystal element, its application and the production method. More specifically, the present invention provides a wide range of modulation, communications, laser, and an electro-optic industrial applications in ultra-high linear EO coefficient (γ
c), for instance 1100 pm / V larger transverse effective linear EO coefficient and 527 pm / V to a longitudinal effective linear represents the EO coefficient, whereby (doped or undoped PMN-PT indicates a very low half-wave voltage (V
T) of a very low half-wave voltage (V
l) and less than 87V of less than 200V, PIN-PMN-PT or PZN which may be prepared as a ferroelectric crystal -PT) it relates to the EO crystal device.
公开/授权文献:
- KR101688113B1 전기광학 단결정소자, 그 제조방법 및 그 소자를 이용한 시스템 公开/授权日：2016-12-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G02 | 光学 |
| ----G02B | 光学元件、系统或仪器 |
| ------G02B1/00 | 按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层 |
| --------G02B1/02 | .由晶体（例如岩盐）半导体，制成的 |