基本信息:
- 专利标题： 기판 처리 장치
- 专利标题（英）：Substrate treating apparatus
- 专利标题（中）：基板处理装置
- 申请号：KR1020130066681 申请日：2013-06-11
- 公开(公告)号：KR1020140144806A 公开(公告)日：2014-12-22
- 发明人： 정지훈 , 고용선 , 이근택 , 김경섭 , 김석훈 , 오정민 , 전용명 , 조용진
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인 고려
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302
摘要：
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 초임계 상태의 공정유체를 이용하여 기판에 대한 건조 공정이 수행될 수 있는 챔버; 상기 챔버로 상기 공정유체를 공급하는 공정유체공급유닛을 포함하되, 상기 공정유체공급유닛은, 상기 공정유체를 저장하는 저장탱크; 연결관으로 상기 저장탱크와 연결되고 공급관으로 상기 챔버와 연결되되, 상기 공정유체가 저장되는 내부공간을 가로지르는 히터를 갖는 변환탱크를 포함한다.
摘要（中）：
本发明涉及一种基板处理装置。 根据本发明的一个实施方式的基板处理装置包括使用超临界状态的处理流体进行基板的干燥处理的室，以及将处理流体供给到室的处理流体供给单元。 处理液供给单元包括存储处理流体的储罐和通过连接管连接到储罐的转化槽，通过供给管与室连接，并且包括与内部空间交叉的内部空间 储存加工液。
摘要（英）：
The present invention relates to a substrate processing apparatus. Chamber in which a substrate processing apparatus in accordance with one embodiment of the present invention can be a drying process for a substrate using a process fluid in a supercritical state to perform; Storage tank comprising a process fluid supply unit for supplying the process fluid to the chamber, wherein the process fluid supply unit, for storing said process fluid; Doedoe connected to a coupling pipe and the tank is connected to the chamber to a supply pipe, and a conversion tank having a heater across the interior space in which the process fluid is stored.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |