심리스 코발트 갭-필을 가능하게 하는 방법

专利标题： 심리스 코발트 갭-필을 가능하게 하는 방법
专利标题（英）：Method of enabling seamless cobalt gap-fill
专利标题（中）：实现无缝煤覆盖的方法
申请号：KR1020147028651 申请日：2013-03-22
公开(公告)号：KR1020140143184A 公开(公告)日：2014-12-15
发明人： 조페,부산엔. , 젤라토스,아브제리노스브이. , 정,보 , 레이,유 , 푸,신유 , 간디코타,스리니바스 , 유,상호 , 아브라함,매튜
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
代理人： 특허법인 남앤드남
优先权： US13/786,644 2013-03-06; US61/616,842 2012-03-28
国际申请： PCT/US2013/033437 2013-03-22
国际公布： WO2013148490 2013-10-03
主分类号： H01L21/28
IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/205 ; H01L21/324

摘要：

반도체 디바이스의 컨택 구조들 내에 컨택 금속 층을 증착하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 반도체 디바이스 내에 컨택 구조를 형성하기 위해 컨택 금속 층을 증착하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에 컨택 금속 층을 증착하기 위해 주기적인 금속 증착 프로세스(cyclic metal deposition process)를 수행하는 단계, 및 기판 상에 배치된 컨택 금속 층을 어닐링하는 단계를 포함한다. 주기적인 금속 증착 프로세스는, 기판 상에 컨택 금속 층의 일부를 증착하기 위해, 기판을 증착 전구체 가스 혼합물에 노출시키는 단계, 컨택 금속 층의 일부를 플라즈마 처리 프로세스에 노출시키는 단계, 및 미리 결정된 두께의 컨택 금속 층을 달성할 때 까지, 기판을 증착 전구체 가스 혼합물에 노출시키는 단계 및 컨택 금속 층의 일부를 플라즈마 처리 프로세스에 노출시키는 단계를 반복하는 단계를 포함한다.

摘要（英）：

The method for depositing a metal contact layer is provided in the contact structure of a semiconductor device. In one embodiment, a method for depositing a metal contact layer is provided to form a contact structure in a semiconductor device. Method includes the step of annealing the metal contact layer disposed on the stage, and a substrate for performing a periodic metal deposition process (cyclic metal deposition process) in order to deposit the contact metal layer on the substrate. Periodic metal deposition process, to deposit a portion of the contact metal layer on a substrate, exposing the substrate to a deposition precursor gas mixture, exposing a portion of a contact metal layer to the plasma treatment process, and a pre-determined thickness until achieving a contact metal layer, and a step of a portion of the step and a contact metal layer to expose the substrate to a deposition precursor gas mixture repeat the step of exposing to the plasma treatment process.

KR101808209B1 심리스 코발트 갭-필을 가능하게 하는 방법 公开/授权日：2017-12-12

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的

发明公开 KR1020140143184A 심리스 코발트 갭-필을 가능하게 하는 방법 审中-实审

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