基本信息:
- 专利标题： 계측 방법, 화상 처리 장치, 및 하전 입자선 장치
- 专利标题（英）：Measurement method, image processing device, and charged particle beam device
- 专利标题（中）：测量方法，图像处理装置和充电颗粒光束装置
- 申请号：KR1020147030585 申请日：2013-05-27
- 公开(公告)号：KR1020140142741A 公开(公告)日：2014-12-12
- 发明人： 오하시다케요시 , 다나카준이치 , 호조유타카 , 신도히로유키 , 가와다히로키
- 申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
- 申请人地址： **-**, NISHISHINBASHI *-CHOME, MINATO-KU, TOKYO JAPAN
- 专利权人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
- 当前专利权人地址： **-**, NISHISHINBASHI *-CHOME, MINATO-KU, TOKYO JAPAN
- 代理人： 문두현; 문기상
- 优先权： JPJP-P-2012-123901 2012-05-31
- 国际申请： PCT/JP2013/064571 2013-05-27
- 国际公布： WO2013180043 2013-12-05
- 主分类号： G01B15/04
- IPC分类号： G01B15/04 ; H01J37/26 ; H01L21/66
하전 입자선 장치에 의해 취득된 레지스트 패턴의 화상으로부터, 휘도 변동의 영향을 고려해서 레지스트 패턴의 윤곽을 추출한다. 즉, 윤곽을 구성하는 에지 점의 근방의 휘도 프로파일을 복수 취득하고, 복수의 상기 휘도 프로파일에 의거하여, 특정 에지의 근방에 있어서의 휘도 프로파일의 형상의 평가값을 구하고, 이 평가값에 의거하여, 특정 에지점의 윤곽을 보정한다.
Error of contour points by a luminance fluctuation can not be corrected by a simple method such as a certain amount of offset addition. However, miniaturization has progressed in recent years, as typified by a resist pattern, it became difficult to determine the area as a reference appropriately.
From the image of the resist pattern obtained by the charged particle beam device, in consideration of the influence of the luminance change and extracts the outline of the resist pattern. That is, a plurality of the luminance profile in the vicinity of the edge points constituting the contour obtained and, on the basis of the plurality of the brightness profile, to obtain an estimate of the shape of the luminance profile in the vicinity of the particular edge, on the basis of the evaluation value and the contour of a particular edge point.
公开/授权文献:
- KR101632011B1 계측 방법, 화상 처리 장치, 및 하전 입자선 장치 公开/授权日：2016-06-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01B | 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 |
| ------G01B15/00 | 以采用波或粒子辐射为特征的计量设备 |
| --------G01B15/04 | .用于计量轮廓或曲率 |