基本信息:
- 专利标题： 탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
- 专利标题（中）：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
- 申请号：KR1020147030021 申请日：2013-04-17
- 公开(公告)号：KR1020140139090A 公开(公告)日：2014-12-04
- 发明人： 지다가즈미 , 다케우치유이치 , 소에지마나루마사 , 와타나베유키히코
- 申请人： 가부시키가이샤 덴소 , 도요타지도샤가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 아이치켄 ***-**** 가리야시 쇼와쵸 *-*
- 专利权人： 가부시키가이샤 덴소,도요타지도샤가부시키가이샤
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 덴소,도요타지도샤가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 아이치켄 ***-**** 가리야시 쇼와쵸 *-*
- 代理人： 특허법인신성
- 优先权： JPJP-P-2012-095517 2012-04-19
- 国际申请： PCT/JP2013/002594 2013-04-17
- 国际公布： WO2013157259 2013-10-24
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/16 ; H01L29/12
－ 형 드리프트층(2)의 PN접합부에서의 공핍층이 n
－ 형 드리프트층(2)측으로 크게 신장하여, 드레인 전압의 영향에 의한 고전압이 게이트 절연막(8)에 들어가기 어려워진다. 따라서, 게이트 절연막(8) 내에서의 전계 집중을 완화할 수 있어서, 게이트 절연막(8)이 파괴되는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다. 이 경우, p형의 SiC층(7)이 플로팅 상태가 되는 일도 있지만, p형의 SiC층(7)은 트렌치(6) 저부의 코너부에만 형성되어 있어서, 트렌치(6)의 저부 전역에 형성되어 있는 구조와 비교하여 형성 범위가 좁다. 이 때문에, 스위칭 특성의 악화도 비교적 작게 완료된다.
In the silicon carbide semiconductor device, a trench (6) Install the SiC layer 7 of p-type in the corners of the bottom. Accordingly, the drain during off of the MOSFET - the SiC layer 7 of geolryeodo p type electric field between the gate and the n
- depletion layer in a PN junction-type drift layer 2, the n
- larger toward type drift layer (2) kidney, a high voltage is due to the effect of the drain voltage is difficult to get into the gate insulating film (8). Thus, to mitigate the electric field concentration in the gate insulating film 8, it is possible to prevent the gate insulating film 8 is being destroyed. In this case, SiC layer 7 of p-type, but happens to be in a floating state, SiC layer 7 of p-type is formed only in the corner portions of the trench 6, a bottom, forming the bottom across the trench (6) compared with the structure that forms a narrow range. Therefore, the deterioration of the switching characteristics are also completed relatively small.
公开/授权文献:
- KR101613930B1 탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법 公开/授权日：2016-04-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |