基本信息:
- 专利标题： 에피택셜 웨이퍼
- 专利标题（英）：Epitaxial wafer
- 专利标题（中）：外来波浪
- 申请号：KR1020130058794 申请日：2013-05-24
- 公开(公告)号：KR1020140137795A 公开(公告)日：2014-12-03
- 发明人： 강석민 , 김지혜 , 하서용
- 申请人： 엘지이노텍 주식회사
- 申请人地址： **, Huam-ro, Jung-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 专利权人： 엘지이노텍 주식회사
- 当前专利权人： 엘지이노텍 주식회사
- 当前专利权人地址： **, Huam-ro, Jung-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인다나
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/265
摘要：
에피택셜 웨이퍼에 관한 것이다.
에피택셜 웨이퍼는 기판, 그리고 상기 기판 상에 형성되는 버퍼층과 상기 버퍼층 상에 형성된 활성층을 포함하는 에피택셜 구조체를 포함하되, 상기 버퍼층은 상기 기판 상에 형성되며, 소정의 도핑 농도를 유지하는 제1구간, 그리고 상기 제1구간 상에 형성되며, 상기 활성층에 가까울수록 도핑 농도가 점차적으로 감소하는 제2구간을 포함한다.
摘要（中）：
에피택셜 웨이퍼는 기판, 그리고 상기 기판 상에 형성되는 버퍼층과 상기 버퍼층 상에 형성된 활성층을 포함하는 에피택셜 구조체를 포함하되, 상기 버퍼층은 상기 기판 상에 형성되며, 소정의 도핑 농도를 유지하는 제1구간, 그리고 상기 제1구간 상에 형성되며, 상기 활성층에 가까울수록 도핑 농도가 점차적으로 감소하는 제2구간을 포함한다.
本发明涉及外延晶片。 外延晶片包括衬底和外延结构，其包括形成在衬底上的缓冲层和形成在缓冲层上的有源层。 缓冲层形成在衬底上，并且包括保持预定掺杂浓度的第一区域和形成在第一区域上的第二区域，并逐渐减小朝向有源层的掺杂浓度。
摘要（英）：
It relates to an epitaxial wafer.
An epitaxial wafer includes a substrate, and the first to comprising an epitaxial structure including an active layer formed on the buffer layer and the buffer layer formed on the substrate, the buffer layer is formed on the substrate, maintaining the predetermined doping concentration interval, and is formed on the first section, closer to the active layer includes a second section in which the doping concentration is gradually reduced.
公开/授权文献:
- KR102098297B1 에피택셜 웨이퍼 公开/授权日：2020-04-07
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |