基本信息:
- 专利标题： 기판 접합 장치
- 专利标题（英）：Apparatus for bonding substrates
- 专利标题（中）：用于粘结基材的装置
- 申请号：KR1020130057101 申请日：2013-05-21
- 公开(公告)号：KR1020140136710A 公开(公告)日：2014-12-01
- 发明人： 유율리아 , 김동운 , 김동현 , 김미현 , 김민주 , 김아라 , 김현준 , 박승용 , 이보현 , 전종필 , 정경섭
- 申请人： 코닝정밀소재 주식회사
- 申请人地址： 충청남도 아산시 탕정면 만전당길 **
- 专利权人： 코닝정밀소재 주식회사
- 当前专利权人： 코닝정밀소재 주식회사
- 当前专利权人地址： 충청남도 아산시 탕정면 만전당길 **
- 代理人： 김선민
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/02
이를 위해, 본 발명은, 표면에 제1 기판 및 상기 제1 기판과 접합되는 제2 기판이 차례로 안착되고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 넓이에 대응되도록 상기 표면의 넓이가 변경 가능하게 형성되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 위치 별로 가해지는 압력 조절이 가능한 제1 척 어셈블리; 및 상기 제1 척 어셈블리와 마주하게 배치되고, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 넓이에 대응되도록 표면의 넓이가 변경 가능하게 형성되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 위치 별로 가해지는 압력 조절이 가능한 제2 척 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 접합 장치를 제공한다.
The present invention in more specifically, which can be easily adjusted depending on the purpose of the pressure and heat applied can be bonded to substrates of various sizes, without restrictions as to the size of the substrate, the substrate a substrate bonding device relates to a substrate bonding device It relates.
For this purpose, enabling the present invention, the second substrate is a first substrate and the first substrate and bonded to the surface is seated, in turn, the width changes of the surface so as to correspond to the width of the first substrate and the second substrate and forming the first substrate and the assembly 1 can control the pressure exerted by the position of the second substrate; And the second is disposed to face the one assembly, the first substrate and is the width of the surface forming can be changed so as to correspond to the width of the second substrate, the first substrate and applied by location of the second substrate provides a substrate bonding device comprising a second chuck assembly is pressure-adjustable.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |