基本信息:
- 专利标题： 에피택셜 웨이퍼
- 专利标题（英）：Epitaxial wafer
- 专利标题（中）：外来波浪
- 申请号：KR1020130057087 申请日：2013-05-21
- 公开(公告)号：KR1020140136703A 公开(公告)日：2014-12-01
- 发明人： 강석민 , 배흥택
- 申请人： 엘지이노텍 주식회사
- 申请人地址： **, Huam-ro, Jung-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 专利权人： 엘지이노텍 주식회사
- 当前专利权人： 엘지이노텍 주식회사
- 当前专利权人地址： **, Huam-ro, Jung-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 代理人： 김기문
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; C30B29/06
摘要：
에피택셜 웨이퍼에 관한 것이다.
에피택셜 웨이퍼는 기판, 그리고 상기 기판 상에 형성된 에피택셜 구조체를 포함하되, 상기 에피택셜 구조체의 표면 결함 밀도가 1개/cm
2 이하이고, 상기 에피택셜 구조체의 기저면 전위 결함 밀도/에치피트 밀도(Etch Pit Density)가 0.01이하이다.
摘要（中）：
에피택셜 웨이퍼는 기판, 그리고 상기 기판 상에 형성된 에피택셜 구조체를 포함하되, 상기 에피택셜 구조체의 표면 결함 밀도가 1개/cm
2 이하이고, 상기 에피택셜 구조체의 기저면 전위 결함 밀도/에치피트 밀도(Etch Pit Density)가 0.01이하이다.
本发明涉及外延晶片，其包括基板和形成在基板上的外延结构，其中外延结构的表面瑕疵密度为每1cm 2一个或更小，并且基底位错瑕疵密度/蚀刻坑密度（ EPD）为0.01以下。
摘要（英）：
It relates to an epitaxial wafer.
An epitaxial wafer includes a substrate, and a basal plane dislocation defect density / etch pit density comprising: an epitaxial structure formed on the substrate, wherein a surface defect density of the epitaxial structure 1 / cm
2 or less, the epitaxial structure ( the Etch Pit Density) is 0.01 or less.
公开/授权文献:
- KR102128495B1 에피택셜 웨이퍼 公开/授权日：2020-06-30