专利号KR1020140048512 | 반도체 장치 및 그 제작 방법

专利标题： 반도체 장치 및 그 제작 방법
专利标题（英）：Semiconductor device and method for manufacturing the same
专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
申请号：KR1020140048512 申请日：2014-04-23
公开(公告)号：KR1020140128243A 公开(公告)日：2014-11-05
发明人： 노다코세이 , 토리우미사토시 , 타네무라카즈키
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
代理人： 장훈
优先权： JPJP-P-2013-094550 2013-04-26
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/318

摘要：

본 발명은 산화물 반도체를 사용한 반도체 장치에서 전기 특성을 향상시킨다. 또한, 전기 특성의 변동이 적고 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제작한다.
하지 절연막으로서 기능하는 산화 질화 절연막과, 상기 산화 질화 절연막에 접촉하여 제공되는 트랜지스터이고, 상기 트랜지스터는 하지 절연막으로서 기능하는 산화 질화 절연막과 접촉하는 산화물 반도체막을 갖는다. 또한 가열 처리에 의하여 산화 질화 절연막으로부터 방출되는, 질량 전하비가 32인 가스의 방출량의 2배에 질량 전하비가 30인 가스의 방출량을 더한 합이 5×10
15 /cm
2 이상 5×10
16 /cm
2 이하, 또는 5×10
15 /cm
2 이상 3×10
16 /cm
2 이하다.

摘要（中）：

在本发明中，提高了使用氧化物半导体的半导体装置的电特性。此外，制造了很少具有波动的电特性和高可靠性的半导体器件。氧化物氮化物绝缘层用作下面的绝缘层，并且提供与氧化物氮化物绝缘层接触的晶体管。晶体管具有与作为下层绝缘层的氧化物氮化物绝缘层接触的氧化物半导体层。将通过加热处理从氧化物氮化物绝缘层发射的具有电荷质量比32的气体的发射量的两倍添加到电荷质量比为30的气体的排出量所得到的和为 5×10 15 / cm 2〜5×10 16 / cm 2，或5×10 15 / cm 3〜3×10 16 / cm 2的范围。

摘要（英）：

The present invention improves the electrical characteristics of a semiconductor device using an oxide semiconductor. In addition, little variation in the electrical characteristics, to produce a highly reliable semiconductor device.
No oxide and nitride insulating film functioning as an insulating film, a transistor provided in contact with the oxynitride insulating film, wherein the transistor has an oxide semiconductor film which is not in contact with the oxide nitride insulating film functioning as an insulating film. In addition, the sum twice the discharge amount of the mass charge ratio of 32. The gas emitted from the nitride insulating film oxidized by the heat treatment plus the amount of emission of the mass charge ratio of 30 gas 5 × 10 ¹⁵ / cm ² at least 5 × 10 ¹⁶ / cm ² is less than, or 5 × 10 ¹⁵ / cm ² at least 3 × 10 ¹⁶ / cm ² or less.

KR102229728B1 반도체 장치 및 그 제작 방법 公开/授权日：2021-03-22

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
--------H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
----------H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
------------H01L29/70	...双极器件
--------------H01L29/762	....电荷转移器件
----------------H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
------------------H01L29/786	......薄膜晶体管

发明公开 KR1020140128243A 반도체 장치 및 그 제작 방법 审中-实审

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