基本信息:
- 专利标题： 성막 장치 내의 금속막의 드라이클리닝 방법
- 专利标题（英）：Method for dry-cleaning metal film in film-formation apparatus
- 专利标题（中）：薄膜形成装置中清洗金属膜的方法
- 申请号：KR1020147026218 申请日：2013-02-20
- 公开(公告)号：KR1020140124858A 公开(公告)日：2014-10-27
- 发明人： 우메자키도모노리 , 다케다유타 , 모리이사무
- 申请人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
- 申请人地址： 일본국, 야마구치, 우베-시 오아자 오키우베 ****
- 专利权人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
- 当前专利权人地址： 일본국, 야마구치, 우베-시 오아자 오키우베 ****
- 代理人： 특허법인(유)화우
- 优先权： JPJP-P-2012-065523 2012-03-22
- 国际申请： PCT/JP2013/054177 2013-02-20
- 国际公布： WO2013140926 2013-09-26
- 主分类号： C23C14/00
- IPC分类号： C23C14/00 ; C23C16/44 ; C23G5/032
摘要：
개시되어 있는 것은, 성막 장치에 부착된 금속막을 β-디케톤을 이용하여 제거하는 드라이클리닝법에 있어서, β-디케톤과 NOx(NO, N
2 O 중 적어도 1개를 나타낸다.)를 포함하는 가스를 클리닝 가스로서 이용하고, 200℃∼400℃의 온도 범위 내인 당해 금속막과, 당해 클리닝 가스를 반응시킴으로써, 당해 금속막을 제거하는 것을 특징으로 하는 드라이클리닝 방법이다. 이 방법에 따르면, 부착 금속막의 장소에 의한 온도차가 생기더라도 에칭을 진행할 수 있다.
摘要（英）：
2 O 중 적어도 1개를 나타낸다.)를 포함하는 가스를 클리닝 가스로서 이용하고, 200℃∼400℃의 온도 범위 내인 당해 금속막과, 당해 클리닝 가스를 반응시킴으로써, 당해 금속막을 제거하는 것을 특징으로 하는 드라이클리닝 방법이다. 이 방법에 따르면, 부착 금속막의 장소에 의한 온도차가 생기더라도 에칭을 진행할 수 있다.
It is disclosed that, in a film of metal attached to the film-forming apparatus for dry cleaning method of removing by using a β- diketone, β- diketone and NOx containing (NO, N
2 O, at least one represents a dog. In) by using the gas as a cleaning gas, the art a metal film within a temperature range of 200 ℃ ~400 ℃ and, and reacting the art the cleaning gas, a dry cleaning method which comprises removing the art metal film. According to this method, even when the temperature difference due to the adhesion of the metal film may be carried out to place animation etching.