基本信息:
- 专利标题: 반도체 모듈 및 승압 정류회로
- 专利标题(英):Semiconductor module and boost rectifier circuit
- 专利标题(中):半导体模块和升压整流器电路
- 申请号:KR1020140019395 申请日:2014-02-20
- 公开(公告)号:KR1020140109263A 公开(公告)日:2014-09-15
- 发明人: 사카이신지 , 카토마사히로 , 타나카토모후미
- 申请人: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 申请人地址: *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
- 专利权人: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址: *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
- 代理人: 이화익; 김홍두
- 优先权: JPJP-P-2013-041643 2013-03-04
- 主分类号: H01L23/34
- IPC分类号: H01L23/34 ; G05F1/10
摘要:
The purpose of the present invention is to provide a technique capable of suppressing an increase in temperature by a linear regulator. A semiconductor module (11) includes a heat dissipation mechanism composed of a voltage generating unit (15), an insulating heat dissipation sheet (16), and a heat sink (17). The voltage generating unit (15) can generate a power voltage for driving a boost converter (59) from a voltage boosted by the boost converter (59) by using an embedded linear regulator. Further, the voltage generating unit (15) is mounted on the heat dissipation mechanism.
摘要(中):
本发明的目的是提供一种能够通过线性调节器抑制温度升高的技术。 半导体模块(11)包括由电压产生单元(15),绝缘散热片(16)和散热片(17)组成的散热机构。 电压产生单元(15)可以通过使用嵌入式线性调节器从由升压转换器(59)升压的电压产生用于驱动升压转换器(59)的电源电压。 此外,电压产生单元(15)安装在散热机构上。
公开/授权文献:
- KR101698360B1 반도체 모듈 및 승압 정류회로 公开/授权日:2017-01-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/34 | .冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置 |