基本信息:
- 专利标题： 실리콘 단결정의 평가방법 및 실리콘 단결정의 제조방법
- 专利标题（英）：Method for evaluating silicon single crystal and method for producing silicon single crystal
- 专利标题（中）：用于评估硅单晶的方法和生产硅单晶的方法
- 申请号：KR1020147015202 申请日：2012-11-12
- 公开(公告)号：KR1020140099266A 公开(公告)日：2014-08-11
- 发明人： 호시,료지 , 카마다,히로유키 , 마츠모토,스구루
- 申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Ohtemachi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Ohtemachi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인씨엔에스
- 优先权： JPJP-P-2011-266877 2011-12-06
- 国际申请： PCT/JP2012/007232 2012-11-12
- 国际公布： WO2013084410 2013-06-13
- 主分类号： C30B29/06
- IPC分类号： C30B29/06 ; C30B15/00
5 ×exp(-β·D(T)·[Oi]·t)(여기서 α, β는 상수)의 관계식을 이용하여 산출하여 평가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 평가방법을 제공한다. 이에 따라, 실리콘 단결정에 있어서, 보다 범용적으로, 산소도너를 기인으로 하는 캐리어의 발생량을 평가할 수 있는 방법이 제공된다.
The present invention is a method of evaluating a silicon single crystal, oxygen FIG amount Δ [C] the concentration of oxygen in the silicon single crystal in a carrier that thee a group generated when a heat treatment to the silicon single crystal [Oi], the temperature of the heat treatment (T), time (t), from the oxygen diffusion coefficient D (T) of the temperature (T), Δ [C] = α [Oi] 5 × exp (-β · D (T) of the heat treatment · [Oi ] · t) (where α, β and provides an evaluation method of a silicon single crystal, characterized in that the evaluation by calculation using the relational formula of the constant). Accordingly, in the silicon single crystal, in a more general-purpose, oxygen it is also provided a method for evaluating the amount of the carrier to thee a group.