基本信息:
- 专利标题： 실리콘 또는 유사 기판 위에 갈륨 질화물의 두꺼운 에피택셜 층을 제조하는 방법 및 상기 방법을 이용하여 얻어진 층
- 专利标题（英）：Method for manufacturing a thick epitaxial layer of gallium nitride on a silicon or similar substrate and layer obtained using said method
- 专利标题（中）：在硅或类似基底上制造氮化硅厚度的外延层的方法和使用方法获得的层
- 申请号：KR1020147001140 申请日：2012-06-28
- 公开(公告)号：KR1020140096018A 公开(公告)日：2014-08-04
- 发明人： 셴크다비드 , 바바르알렉시스 , 꼬르디에이봉 , 프레이지네에릭 , 켄나드마크 , 롱디다니엘
- 申请人： 소이텍 , 쌩뜨레 나티오날 데 라 르세르쉬 생띠끄 (씨. 엔. 알. 에스)
- 申请人地址： Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-***** Bernin, France
- 专利权人： 소이텍,쌩뜨레 나티오날 데 라 르세르쉬 생띠끄 (씨. 엔. 알. 에스)
- 当前专利权人： 소이텍,쌩뜨레 나티오날 데 라 르세르쉬 생띠끄 (씨. 엔. 알. 에스)
- 当前专利权人地址： Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-***** Bernin, France
- 代理人： 정홍식
- 优先权： FR1155899 2011-06-30
- 国际申请： PCT/EP2012/062587 2012-06-28
- 国际公布： WO2013001014 2013-01-03
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/318 ; H01L21/02 ; C30B25/02 ; H01L29/872 ; C30B29/38
w Al
x Ga
y In
z N의 중간층(4a)의 성장 단계, (c2) B
w Al
x Ga
y In
z N의 층(3b)의 성장 단계, (c3) B
w Al
x Ga
y In
z N의 중간층(4b)의 성장 단계를 포함하고, 단계들(c1) 내지 (c3)에서 형성되는 층들(3b, 4a, 4b) 중 적어도 하나는 알루미늄 및 갈륨을 포함하는 적어도 3성분 III-N 합금이고, 상기 방법은 (d) GaN의 상기 층(3; 3', 3")의 성장 단계를 더 포함한다.
The present invention, a thermal expansion coefficient of GaN on a small substrate 1 than the coefficient of thermal expansion of the GaN single-crystal active layer by epitaxy; relates to a process for producing (3 3 ', 3 "), the method (b) growth step of epitaxially three-dimensional epitaxial growth step of GaN layer (3a) of the relaxation in the temperature, (c1) B
w Al
x Ga
y in
z N intermediate layer (4a) of, (c2) B
w Al
x Ga
y comprising the growth stage of the growth phase of the layer (3b) of the in
z N, (c3) B
w Al
x Ga
y in
z N intermediate layer (4b) of, and the layers formed in steps (c1) to (c3) ( 3b, 4a, 4b) at least one of which is at least three-component III-N alloy containing aluminum and gallium, the method comprising: (d) of the GaN layer (3; including the growth phase of the 3 ', 3 "), more do.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |