基本信息:
- 专利标题： 질화물 결정의 제조 방법 및 질화물 결정
- 专利标题（英）：Method for producing nitride crystal, and nitride crystal
- 专利标题（中）：硝酸盐水溶液和硝酸盐水溶液的制备方法
- 申请号：KR1020147012680 申请日：2012-10-25
- 公开(公告)号：KR1020140088147A 公开(公告)日：2014-07-09
- 发明人： 미카와유타카 , 후지사와히데오 , 가마다가즈노리 , 나가오카히로부미 , 가와바타신이치로 , 가가미타니유지
- 申请人： 미쯔비시 케미컬 주식회사
- 申请人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 미쯔비시 케미컬 주식회사
- 当前专利权人： 미쯔비시 케미컬 주식회사
- 当前专利权人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： US61/552,801 2011-10-28; JPJP-P-2012-025711 2012-02-09; JPJP-P-2012-188099 2012-08-28
- 国际申请： PCT/JP2012/077591 2012-10-25
- 国际公布： WO2013062042 2013-05-02
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; C30B7/10
摘要：
최대 직경이 100 ∼ 1000 ㎛ 인 2 차 입자가 응집하여 이루어지는, 최대 직경이 1 ∼ 120 ㎜ 인 3 차 입자를 포함하는 질화물 결정 원료를 반응 용기의 원료 충전 영역에 충전하고, 반응 용기 중에서 초임계 및/또는 아임계 상태의 용매 존재하에서 결정 성장을 실시하는 질화물 결정의 제조 방법에 있어서, 상기 질화물 결정 원료를 원료 충전 영역에 0.7 ∼ 4.5 g/㎤ 의 부피 밀도로 충전하여 결정 성장을 실시함으로써, 효율적으로 고품질인 질화물 결정을 제조할 수 있다.
摘要（中）：
通过对含有最大直径为1〜120mm的三次粒子的氮化物晶体原料进行充电，通过使最大直径为100〜1000μm的二次粒子的聚集形成，可以高效率地制造高质量的氮化物晶体 反应器的起始原料充电区域，然后在反应器中在超临界状态和/或亚临界状态的溶剂存在下晶体生长，其中将氮化物晶体起始材料以体积的形式装入原料充电区域 对于期望的晶体生长，密度为0.7至4.5g / cm 3。
摘要（英）：
The maximum diameter of 100 ~ 1000 ㎛ the secondary particles are formed by agglomeration, the maximum diameter of the charging of the nitride crystal raw material including tertiary particles of 1 ~ 120 ㎜ the raw material charging area of the reaction vessel, the supercritical and the reaction vessel / or down in the production process of the nitride crystal to carry out the crystal growth in the presence of a solvent in the supercritical state, by carrying out crystal growth by filling the nitride crystal material with a bulk density of 0.7 ~ 4.5 g / ㎤ the raw material charging area, effectively as it is possible to manufacture the high-quality nitride crystal.