基本信息:
- 专利标题： 전자 컴포넌트, 이의 제조 방법, 및 전자 컴포넌트에서의 그라핀의 사용 방법
- 专利标题（英）：Electronic component and process for fabricating and using graphene in an electronic component
- 专利标题（中）：在电子元件中制作和使用石墨的电子元件和工艺
- 申请号：KR1020137024918 申请日：2012-02-24
- 公开(公告)号：KR1020140085376A 公开(公告)日：2014-07-07
- 发明人： 스놔르피에르 , 들루박브루노 , 바로클레망 , 따따위-아쥐라르세르지오
- 申请人： 탈레스 , 쌩뜨레 나티오날 데 라 르세르쉬 생띠끄 (씨. 엔. 알. 에스) , 유니베르시떼 파리스-쉬드
- 申请人地址： TOUR CARPE DIEM, Place des Corolles, Esplanade Nord, ***** Courbevoie, France
- 专利权人： 탈레스,쌩뜨레 나티오날 데 라 르세르쉬 생띠끄 (씨. 엔. 알. 에스),유니베르시떼 파리스-쉬드
- 当前专利权人： 탈레스,쌩뜨레 나티오날 데 라 르세르쉬 생띠끄 (씨. 엔. 알. 에스),유니베르시떼 파리스-쉬드
- 当前专利权人地址： TOUR CARPE DIEM, Place des Corolles, Esplanade Nord, ***** Courbevoie, France
- 代理人： 유미특허법인
- 优先权： FR11 00553 2011-02-24
- 国际申请： PCT/EP2012/053127 2012-02-24
- 国际公布： WO2012113898 2012-08-30
- 主分类号： H01L29/16
- IPC分类号： H01L29/16 ; H01L29/66 ; H01L29/78
摘要：
전자 컴포넌트(2)는 2개 이상의 중첩된 (superposed) 전도성 층 또는 반도체 층 (4 ;10,12 ;14,16)을 포함한다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 컴포넌트는 전도성 층 또는 반도체 층 (4 ;10,12 ;14,16) 사이에 삽입된 하나 이상의 그라핀 층(8)을 포함하며, 상기 전도성 층 또는 반도체 층 (4 ;10,12 ;14,16)은 상기 또는 각각의 그라핀 층(8)의 두께를 통해 전자적으로 커플링되어 있다. 본 출원은 특히 자기 터널 접합 (magnetic tunnel juction), 스핀 밸브 (spin valve), 또는 멤리스터 (memrister)를 포함한다.
摘要（英）：
Includes a (14, 16 4;; 10, 12) with electrical components (2) is nested at least two (superposed) a conductive layer or a semiconductor layer. According to an aspect of the invention, the component is a conductive layer or a semiconductor layer comprises at least one graphene layer 8 is inserted between (4; 14, 16; 10, 12), the conductive layer or a semiconductor layer ( 4; 10, 12; 14, 16) is coupled electronically via the thickness of the or each graphene layer 8. This application is in particular a magnetic tunnel junction (magnetic tunnel juction), the spin valve (spin valve), or memristor (memrister).