基本信息:
- 专利标题： 기판을 반도체 발광 소자에 본딩하는 방법
- 专利标题（英）：Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device
- 专利标题（中）：将基板结合到半导体发光器件的方法
- 申请号：KR1020147008165 申请日：2012-07-30
- 公开(公告)号：KR1020140058658A 公开(公告)日：2014-05-14
- 发明人： 바신,그리고리 , 에플러,존에드워드 , 마틴,폴스콧
- 申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
- 申请人地址： High Tech Campus *, **** AE Eindhoven, The Netherlands
- 专利权人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
- 当前专利权人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
- 当前专利权人地址： High Tech Campus *, **** AE Eindhoven, The Netherlands
- 代理人： 양영준; 백만기
- 优先权： US61/528,886 2011-08-30
- 国际申请： PCT/IB2012/053880 2012-07-30
- 国际公布： WO2013030690 2013-03-07
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/22 ; H01L33/50
摘要：
본 발명의 실시예들에 따른 방법은 반도체 발광 소자들의 웨이퍼 위에 가요성 막(48)을 배치하는 단계 - 각각의 반도체 발광 소자는 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 샌드위치된 발광 층을 포함하는 반도체 구조(13)를 포함함 - 를 포함한다. 가요성 막(48)을 통해 반도체 발광 소자들의 웨이퍼가 기판(50)에 본딩된다. 본딩한 후, 가요성 막(48)은 반도체 구조(13)와 직접 접촉한다. 방법은 기판(50)에 웨이퍼를 본딩한 후 웨이퍼를 분할하는 단계를 더 포함한다.
摘要（英）：
Method in accordance with embodiments of the present invention includes the steps of placing a sex film 48 go onto the wafer of semiconductor light emitting devices, each of the semiconductor light emitting device comprises a light emitting layer sandwiched between the n- type region and the p- type region and a - that includes a semiconductor structure (13). The flexible wafer of semiconductor light-emitting device via the film 48 is bonded to the substrate 50. After the bonding, the flexible film 48 is in direct contact with the semiconductor structure (13). The method further includes the step of dividing the wafer after bonding the wafer to the substrate 50.
公开/授权文献:
- KR101934138B1 기판을 반도체 발광 소자에 본딩하는 방법 公开/授权日：2018-12-31