基本信息:
- 专利标题: 인장 변형 적용들을 위한 고인장 실리콘 합금의 에피택시
- 专利标题(英):Epitaxy of high tensile silicon alloy for tensile strain applications
- 专利标题(中):用于拉伸应变应变的高强度硅合金外延
- 申请号:KR1020137023436 申请日:2011-07-28
- 公开(公告)号:KR1020140057193A 公开(公告)日:2014-05-12
- 发明人: 예,치유안 , 리,수빈 , 쵸프라,사우랍 , 김,이환
- 申请人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人: 특허법인 남앤드남
- 优先权: US61/440,627 2011-02-08
- 国际申请: PCT/US2011/045794 2011-07-28
- 国际公布: WO2012108901 2012-08-16
- 主分类号: H01L21/20
- IPC分类号: H01L21/20 ; H01L21/205 ; H01L21/336 ; H01L29/78
21 atoms/㎤ 이상의 인 농도를 가지며, 탄소가 추가되지 않고 형성된다. 약 1×10
21 atoms/㎤ 이상의 인 농도는 증착된 층의 인장 변형을 증대시키고, 이에 따라, 채널 이동성을 향상시킨다. 에피택셜 층은 실질적으로 탄소가 없기 때문에, 에피택셜 층은 보통 탄소-함유 에피택셜 층들과 관련된 필름 형성 및 품질 문제로 곤란을 겪지 않는다.
Embodiment of the present invention generally relate to methods for forming a silicon epitaxial layer on a semiconductor device. The method may include the step of forming a silicon epitaxial layer on a substrate in a reduced pressure and increased temperature. The silicon epitaxial layer has a approximately 1 × 10
21 atoms / ㎤ or more concentration, and is formed of carbon is not added. Approximately 1 × 10
21 atoms / ㎤ than the concentration increases the tensile strain of the deposited layer and, thereby, improve the channel mobility along. Because the epitaxial layer is substantially no carbon, the epitaxial layer is usually a carbon-does not suffer a difficulty in film formation and quality problems associated with the containing epitaxial layers.
公开/授权文献:
- KR101821707B1 인장 변형 적용들을 위한 고인장 실리콘 합금의 에피택시 公开/授权日:2018-01-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长 |