基本信息:
- 专利标题： 반도체 응용을 위한 양전성 금속 포함 층을 포함하는 장치 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Electropositive metal containing layers for semiconductor applications
- 专利标题（中）：用于半导体应用的电镀金属包含层
- 申请号：KR1020147008071 申请日：2011-09-29
- 公开(公告)号：KR1020140054372A 公开(公告)日：2014-05-08
- 发明人： 로메로,패트리시오이. , 클렌데닝,스콧비.
- 申请人： 인텔 코포레이션
- 申请人地址： **** Mission College Boulevard, Santa Clara, California *****, U.S.A.
- 专利权人： 인텔 코포레이션
- 当前专利权人： 인텔 코포레이션
- 当前专利权人地址： **** Mission College Boulevard, Santa Clara, California *****, U.S.A.
- 代理人： 양영준; 백만기
- 国际申请： PCT/US2011/054051 2011-09-29
- 国际公布： WO2013048417 2013-04-04
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/12 ; H01L21/205
摘要：
본 발명의 실시형태는 ALD(atomic layer deposition) 및/또는 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 통해 양전성 금속을 포함하는 층을 형성하는 방법, 하나 이상의 양전성 금속을 포함하는 층, 및 하나 이상의 양전성 금속을 포함하는 층을 포함하는 반도체 장치를 제공한다. 본 발명의 실시형태에서, 층들은 박막 또는 초박막(두께가 100 Å 미만인 막) 및/또는 등각 막이다. 하나 이상의 양전성 금속을 포함하는 금속 층들을 포함하는, 트랜지스터 장치, 금속 인터커넥트, 및 컴퓨팅 장치가 추가로 제공된다.
摘要（英）：
The present invention of the embodiment is ALD (atomic layer deposition) and / or CVD (chemical vapor deposition) process through both conductive metallic inclusion of layer formation that method, one or more positive-conductive metallic inclusion that layer, and one or more positive It provides a semiconductor device comprising a layer including a conductive metal. In the embodiment of the invention, the layers are thin or ultra-thin (thickness of the film is less than 100 Å) and / or a conformal film. Including a metal layer comprising at least one positive-conductive metal, the transistor device, a metal interconnect, and a computing device is provided additionally.
公开/授权文献:
- KR101605643B1 반도체 응용을 위한 양전성 금속 포함 층을 포함하는 장치 및 그 제조방법 公开/授权日：2016-03-22
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |