基本信息:
- 专利标题: 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 표시 장치, 이미지 센서, X 선 센서 그리고 X 선 디지털 촬영 장치
- 专利标题(英):Thin film transistor, method for producing same, display device, image sensor, x-ray sensor, and x-ray digital imaging device
- 专利标题(中):薄膜晶体管,其制造方法,显示装置,图像传感器,X射线传感器和X射线数字成像装置
- 申请号:KR1020147003188 申请日:2012-07-09
- 公开(公告)号:KR1020140046017A 公开(公告)日:2014-04-17
- 发明人: 오노마사시 , 다카타마사히로 , 다나카아츠시 , 스즈키마사유키
- 申请人: 후지필름 가부시키가이샤
- 申请人地址: *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人: 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人: 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址: *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人: 특허법인코리아나
- 优先权: JPJP-P-2011-177235 2011-08-12
- 国际申请: PCT/JP2012/067508 2012-07-09
- 国际公布: WO2013024647 2013-02-21
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L27/146
摘要:
박막 트랜지스터는, 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 접하는 게이트 절연막과, In (a) Ga (b) Zn (c) O (d) (0 0, 0 0) 로 나타내는 제 1 영역 및 In (p) Ga (q) Zn (r) O (s) (q/(p+q) > 0.250, p > 0, q > 0, r > 0, s > 0) 로 나타내고, 상기 게이트 전극에 대해 상기 제 1 영역보다 멀리에 위치하는 제 2 영역을 포함하며, 상기 게이트 절연막을 개재하여 상기 게이트 전극에 대향 배치되어 있는 산화물 반도체층과, 서로 이간되어 배치되어 있고, 상기 산화물 반도체층을 통해 도통할 수 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는다.
摘要(英):
Thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating film in contact with the gate electrode, In (a) Ga (b) Zn (c) O (d) (0 <a ≤ 37/60, 3a / 7-3 / 14 ≤ b ≤ 91a/74-17/40, stage b> 0, 0 <c ≤ 3/5, a + b + c = 1, d> 0) represents a first region and in (p) Ga (q) Zn (r) O (s) (q / (p + q)> 0.250, p> 0, q> 0, r> 0, s> 0) expressed by, a second region located further than the first area for the gate electrode and, with the gate insulating film interposed therebetween oxide semiconductor layer which is disposed opposite to the gate electrode, and are separated from one another are disposed, a source electrode and a drain electrode to conduction through the oxide semiconductor layer.