基本信息:
- 专利标题： 질화물 반도체 자외선 발광 소자
- 专利标题（英）：Nitride semiconductor ultraviolet light emitting element
- 专利标题（中）：硝酸盐半导体紫外线发光元件
- 申请号：KR1020147005478 申请日：2011-08-09
- 公开(公告)号：KR1020140043161A 公开(公告)日：2014-04-08
- 发明人： 페르노시릴 , 히라노아키라
- 申请人： 소코 가가쿠 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*-*, Asahigaoka, Hakusan-shi, Ishikawa, Japan
- 专利权人： 소코 가가쿠 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 소코 가가쿠 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*-*, Asahigaoka, Hakusan-shi, Ishikawa, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 国际申请： PCT/JP2011/068165 2011-08-09
- 国际公布： WO2013021464 2013-02-14
- 主分类号： H01S5/323
- IPC分类号： H01S5/323
摘要：
사파이어 (0001) 기판, 상기 기판 상에 형성된 AlN 층을 포함하는 하지 구조부, 및 상기 하지 구조부 상에 형성된, n 형 AlGaN 계 반도체층의 n 형 클래드층과, AlGaN 계 반도체층을 갖는 활성층과, p 형 AlGaN 계 반도체층의 p 형 클래드층을 포함하는 발광 소자 구조부를 구비하여 이루어지는 질화물 반도체 자외선 발광 소자로서, 상기 기판의 (0001) 면이 0.6°이상 3.0°이하의 오프각으로 경사지고, 상기 n 형 클래드층의 AlN 몰 분율이 50 ％ 이상이다.
摘要（中）：
氮化物半导体紫外线发光元件设置有：底层结构部分，其包括蓝宝石（0001）基板和形成在基板上的AlN层; 以及包括n型AlGaN基半导体层的n型包覆层，具有AlGaN基半导体层的有源层和p型AlGaN系半导体的p型包层的发光元件结构部分 层，形成在下面的结构部分上。 衬底的（0001）表面以等于或大于0.6°并且等于或小于3.0°的偏角倾斜，并且n型包层的AlN摩尔分数等于或等于 超过50％。
摘要（英）：
Sapphire (0001) substrate, and the structure not including the AlN layer formed on the substrate, and wherein not formed on the structure, an n-type AlGaN-based semiconductor layer n-type cladding layer, an active layer having an AlGaN-based semiconductor layer, p type nitride semiconductor ultraviolet light-emitting device formed by including a light emitting device structure of AlGaN type comprises a p-type cladding layer of the semiconductor layer, being the (0001) plane of the substrate inclined in the off-angle of less than 0.6 ° 3.0 °, the n AlN molar fraction of the type cladding layer is not less than 50%.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01S | 利用受激发射的器件 |
| ------H01S5/00 | 半导体激光器 |
| --------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
| ----------H01S5/32 | ..含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构 |
| ------------H01S5/323 | ...用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器 |