基本信息:
- 专利标题: In-Ga-Zn계 산화물 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법
- 专利标题(英):In-ga-zn oxide sputtering target and method for producing same
- 专利标题(中):IN-GA-ZN氧化物溅射靶和其生产方法
- 申请号:KR1020137029569 申请日:2012-04-27
- 公开(公告)号:KR1020140027240A 公开(公告)日:2014-03-06
- 发明人: 스나가와미사 , 이토세마사유키 , 니시무라마미 , 가사미마사시
- 申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 申请人地址: 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 专利权人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址: 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 代理人: 제일특허법인
- 优先权: JPJP-P-2011-105720 2011-05-10
- 国际申请: PCT/JP2012/002917 2012-04-27
- 国际公布: WO2012153491 2012-11-15
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C04B35/00 ; H01B5/14 ; H01L21/363
摘要:
2θ = 7.0° ~ 8.4°, 30.6° ~ 32.0°, 33.8° ~ 35.8°, 53.5° ~ 56.5°, 56.5° ~ 59.5°, 14.8° ~ 16.2°, 22.3° ~ 24.3°, 32.2° ~ 34.2°, 43.1° ~ 46.1°, 46.2° ~ 49.2° 및 62.7° ~ 66.7°의 영역 A ~ K에 회절 피크를 갖는 산화물 A와, InGaZnO
4 를 함유하는 스퍼터링 타겟을 제공한다.
摘要(英):
4 를 함유하는 스퍼터링 타겟을 제공한다.
2θ = 7.0 ° ~ 8.4 °, 30.6 ° ~ 32.0 °, 33.8 ° ~ 35.8 °, 53.5 ° ~ 56.5 °, 56.5 ° ~ 59.5 °, 14.8 ° ~ 16.2 °, 22.3 ° ~ 24.3 °, 32.2 ° ~ 34.2 °, provides 43.1 ° ~ 46.1 °, 46.2 ° ~ 49.2 ° and 62.7 and the oxide a having a diffraction peak at a ° ~ 66.7 ° region a ~ K a, a sputtering target containing InGaZnO
4.