基本信息:
- 专利标题： 절연층이 부착된 금속 기판과 그 제조 방법 및 반도체 장치
- 专利标题（英）：Metal substrate having insulating layer, method for manufacturing same, and semiconductor device
- 专利标题（中）：具有绝缘层的金属衬底，其制造方法和半导体器件
- 申请号：KR1020137029150 申请日：2012-04-04
- 公开(公告)号：KR1020140019432A 公开(公告)日：2014-02-14
- 发明人： 사토게이고 , 미야시타요우타 , 유우야시게노리
- 申请人： 후지필름 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2011-083337 2011-04-05; JPJP-P-2011-212196 2011-09-28; JPJP-P-2011-212199 2011-09-28; JPJP-P-2012-042931 2012-02-29
- 国际申请： PCT/JP2012/002355 2012-04-04
- 国际公布： WO2012137498 2012-10-11
- 主分类号： C25D11/18
- IPC分类号： C25D11/18 ; H01L31/04
(해결 수단) 절연층이 부착된 금속 기판을, 적어도 편면에 금속 알루미늄 (11) 을 갖는 금속 기판과, 금속 알루미늄 (11) 상에 양극 산화에 의해 형성된 다공질 산화알루미늄 피막 (20) 과 그 다공질 산화알루미늄 피막 (20) 의 세공 표면을 피복하는 알칼리 금속 규산염 피막 (30) 으로 형성된 복합 구조층 (90) 을 갖고, 복합 구조층 (90) 에 있어서의 알루미늄에 대한 규소의 질량비가, 복합 구조층 (90) 과 금속 알루미늄 (11) 의 계면으로부터 복합 구조층 (90) 측으로 두께 1 ㎛ 의 위치와, 복합 구조층 (90) 과 금속 알루미늄 (11) 과는 반대측에 위치하는 상부층의 계면으로부터 복합 구조층 (90) 측으로 1 ㎛ 의 위치 사이의 영역 내의 임의의 위치에 있어서 0.001 이상 0.2 이하로 한다.
(Tasks) to a metallic substrate an insulating layer is attached to that is possible to efficiently diffuse the alkali metal ions for the photoelectric conversion semiconductor layer, to increase the photoelectric conversion efficiency of the photovoltaic device.
(Solving means), the insulating layer is a metal substrate attached, and a metal substrate having a metal aluminum (11) on at least one side, the metal of aluminum (11) porous aluminum oxide film 20 formed by anodic oxidation on and the porous oxide aluminum film 20, the pores have a composite structure layer 90 is formed with an alkali metal silicate coating (30) covering the surface, the mass ratio of silicon to aluminum in the composite structure layer 90, the composite structure of a layer ( 90) and with a thickness of 1 ㎛ position toward the composite structure layer 90 from the interface between the aluminum metal 11, a composite structure layer 90 and the metal aluminum 11 and the composite structure layer from the interface of the top layer which is located on the opposite side 0.001 according to any location within the area between the position of the 1 ㎛ side (90) to be not more than 0.2.
公开/授权文献:
- KR101650997B1 절연층이 부착된 금속 기판과 그 제조 방법 및 반도체 장치 公开/授权日：2016-08-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C25 | 电解或电泳工艺；其所用设备 |
| ----C25D | 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置 |
| ------C25D11/00 | 表面反应，即形成转化层的电解覆层 |
| --------C25D11/02 | .阳极氧化 |
| ----------C25D11/04 | ..铝或以其为基之合金的 |
| ------------C25D11/18 | ...后处理，例如封孔处理 |