基本信息:
- 专利标题： 그래핀의 제조 방법 및 그래핀
- 专利标题（英）：Method for producing graphene and graphene
- 专利标题（中）：生产石墨和石墨的方法
- 申请号：KR1020137018929 申请日：2012-02-10
- 公开(公告)号：KR1020140014113A 公开(公告)日：2014-02-05
- 发明人： 야마다타카토시 , 김재호 , 이시하라마사토 , 코가요시노리 , 하세가와마사타카 , 아이지마스미오
- 申请人： 고쿠리츠겐큐가이하츠호진 산교기쥬츠소고겐큐쇼
- 申请人地址： *-*, Kasumigaseki *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 고쿠리츠겐큐가이하츠호진 산교기쥬츠소고겐큐쇼
- 当前专利权人： 고쿠리츠겐큐가이하츠호진 산교기쥬츠소고겐큐쇼
- 当前专利权人地址： *-*, Kasumigaseki *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 김은구; 송해모
- 优先权： JPJP-P-2011-027260 2011-02-10; JPJP-P-2011-077342 2011-03-31
- 国际申请： PCT/JP2012/053098 2012-02-10
- 国际公布： WO2012108526 2012-08-16
- 主分类号： C01B31/02
- IPC分类号： C01B31/02 ; B01J19/12
摘要：
본 발명은 열 CVD 및 수지 탄화법에 의한 그래핀 성막의 과제로서, 고온 프로세스이며, 또한 프로세스 시간이 길다는 문제를 해결하고, 보다 저온에서 단시간에 그래핀을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서, 동박 기재에 도포된 유기물질을, 동박 기재마다 마이크로파 표면파 플라즈마 처리 장치를 이용하여 수소 플라즈마 처리를 행하고, 이 수소 플라즈마 처리에 의해, 동박 기재상에 그래핀을 형성하는 것에 의해 상기 과제를 해결한다.
摘要（英）：
The present invention provides an object of the graphene film formation by thermal CVD, and resin tanhwabeop, a high temperature process, and also solve the problem is that the process time is long, and that an object of the present invention to provide a method for Yes in a short period of time to form a pin at a lower temperature such, solving the problems by an organic material coated on the copper foil substrate, subjected to hydrogen plasma treatment by using a microwave surface wave plasma processing apparatus each copper substrate, to which, well form a pin on the copper foil substrate by the hydrogen plasma treatment do.
公开/授权文献:
- KR101939615B1 그래핀의 제조 방법 및 그래핀 公开/授权日：2019-01-17