基本信息:
- 专利标题： 웨이퍼 영구 결합 방법
- 专利标题（英）：Method for permanently bonding wafers
- 专利标题（中）：永久粘结方法
- 申请号：KR1020137025905 申请日：2011-04-08
- 公开(公告)号：KR1020140006045A 公开(公告)日：2014-01-15
- 发明人： 플라크,토마스 , 힝게를,커트 , 빔플링거,마르쿠스 , 플뢰트겐,크리스토프
- 申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
- 申请人地址： DI Erich Thallner Straße *, A-**** St. Florian am Inn (Austria)
- 专利权人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
- 当前专利权人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
- 当前专利权人地址： DI Erich Thallner Straße *, A-**** St. Florian am Inn (Austria)
- 代理人： 강명구; 김현석
- 国际申请： PCT/EP2011/055469 2011-04-08
- 国际公布： WO2012136266 2012-10-11
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
- 제 1 접촉 표면(3) 위의 리저버-형성층(6)에 리저버(5)를 형성하는 단계;
- 제 1 반응물 또는 제 1 반응물 군으로 리저버(5)를 적어도 부분적으로 채우는 단계;
-사전결합 연결을 형성하기 위해 제 1 접촉 표면(3)을 제 2 접촉 표면(4)과 접촉시키는 단계;
- 제 2 기판(2)을 박판화하는 단계; 및
- 제 1 및 제 2 접촉 표면(3, 4) 사이에 영구 결합을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 결합은 제 2 기판(2)의 반응층(7) 내에 포함된 제 2 반응물과 제 1 반응물의 반응에 의해 적어도 부분적으로 강화되는 것을 특징으로 한다.
The present invention relates to a coupling method for coupling a first contact surface (3) of the first substrate (1) to the second contact surface 4 of the second substrate 2, second substrate 2 is one It has more reaction layer 7. The combined method is:
- The reservoir above the first contact surface (3) forming a reservoir (5) for forming layer (6);
- Filling the reservoir (5) with the first reactant or first reactant the group at least in part;
- Contacting the second contact surface (4) a first contact surface (3) to form a pre-bonded connection;
- The step of thinning the second substrate (2); And
- The first and second contact surfaces (3, 4) between forming a permanent bond, and the combination of the second reactant and the first reactant contained in the reaction layer 7 of the second substrate (2) It characterized in that at least in part of it to strengthen by the reaction.
公开/授权文献:
- KR101550121B1 웨이퍼 영구 결합 방법 公开/授权日：2015-09-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |