基本信息:
- 专利标题： 무선 주파수 또는 전력 응용들을 위한 전자 장치 및 그와 같은 장치를 제조하는 프로세스
- 专利标题（英）：Electronic device for radiofrequency or power applications and process for manufacturing such a device
- 专利标题（中）：用于无线电或电力应用的电子设备及其制造方法
- 申请号：KR1020137015796 申请日：2011-11-16
- 公开(公告)号：KR1020140005900A 公开(公告)日：2014-01-15
- 发明人： 랑드뤼디디에 , 카펠로루차나 , 데보네에릭 , 피게크리스토프 , 코넌척올레그
- 申请人： 소이텍
- 申请人地址： Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-***** Bernin, France
- 专利权人： 소이텍
- 当前专利权人： 소이텍
- 当前专利权人地址： Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-***** Bernin, France
- 代理人： 정홍식
- 优先权： FR1059539 2010-11-19
- 国际申请： PCT/EP2011/070220 2011-11-16
- 国际公布： WO2012066021 2012-05-24
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/762
摘要：
본 발명은, 지지 기판 상의 전자 컴포넌트들을 지지하는 반도체층을 포함하는, 무선 주파수 또는 전력 응용들을 위한 전자 장치에 관한 것으로서, 지지 기판(1)은 적어도 30 W/m K의 열전도율을 가지는 베이스층(12) 및 적어도 5 ㎛의 두께를 가지는 표면층(13, 4)을 포함하고, 상기 표면층(13, 14)은 적어도 3000 Ohm.cm의 전기 저항율 및 적어도 30 W/m K의 열전도율을 가진다. 본 발명은 또한 이와 같은 장치를 제조하는 2개의 프로세스들에 관한 것이다.
摘要（英）：
The present invention, a supporting substrate (1) relates to an electronic device for containing the semiconductor layer supporting the electronic component on the support substrate, radio frequency, or power applied to the base layer has a thermal conductivity of at least 30 W / m K ( 12) and said surface layer (13, 14, and comprises a surface layer (13, 4) has a thickness of at least 5 ㎛) has a thermal conductivity of the electrical resistivity, and at least 30 W / m K of at least 3000 Ohm.cm. The invention also relates to two processes for preparing such a device.
公开/授权文献:
- KR101876912B1 무선 주파수 또는 전력 응용들을 위한 전자 장치 및 그와 같은 장치를 제조하는 프로세스 公开/授权日：2018-07-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |