基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：KR1020120048086 申请日：2012-05-07
- 公开(公告)号：KR1020130124736A 公开(公告)日：2013-11-15
- 发明人： 변창수 , 고민호 , 방현철 , 김광민 , 곽원규
- 申请人： 삼성디스플레이 주식회사
- 申请人地址： 경기 용인시 기흥구 삼성로*(농서동)
- 专利权人： 삼성디스플레이 주식회사
- 当前专利权人： 삼성디스플레이 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기 용인시 기흥구 삼성로*(농서동)
- 代理人： 강신섭; 문용호; 이용우
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L27/108 ; H01L21/8242
摘要：
The present invention relates to a semiconductor device comprising a first conductive layer formed on a substrate and comprising a main pattern and a secondary pattern extended to a structure symmetric to at least two sides facing the main pattern; an insulating layer formed on the substrate including the first conductive layer; and a second conductive layer formed on the insulating layer to be overlapped with at least part of the secondary pattern and main pattern of the first conductive layer wherein electrical properties do not change since the overlapped areas of the first and second conductive layers do not vary by the secondary pattern even when misaligned in a second conductive layer forming process.
摘要（中）：
本发明涉及一种半导体器件，其包括形成在衬底上的第一导电层，其包括主图案和延伸到与面向主图案的至少两个面对称的结构的二次图案; 形成在所述基板上的包含所述第一导电层的绝缘层; 以及第二导电层，形成在所述绝缘层上以与所述第一导电层的所述次级图案和主图案的至少一部分重叠，其中电性能不改变，因为所述第一和第二导电层的重叠区域不会随着所述第一导电层的重叠区域而变化 次级图案，即使在第二导电层形成工艺中不对准。
公开/授权文献:
- KR101970783B1 반도체 장치 公开/授权日：2019-04-23
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |