基本信息:
- 专利标题： 갈륨 아르제나이드 광흡수층을 지닌 고효율 태양 전지 소자
- 专利标题（英）：High efficiency solar cell device with gallium arsenide absorber layer
- 专利标题（中）：高效率太阳能电池组件，具有阿塞拜疆吸收层
- 申请号：KR1020137011285 申请日：2011-09-30
- 公开(公告)号：KR1020130121103A 公开(公告)日：2013-11-05
- 发明人： 싱,카우살,케이. , 비세,로버트잔 , 라오,스리칸트 , 쿠마르,바스카 , 카말트,클레어,제이. , 아르네팔리,란가라오 , 나라마수,옴카람 , 사라프,과라브 , 블랙맨,크리스토퍼,에스. , 사아시얌,산자얀
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US61/388,943 2010-10-01; US61/452,801 2011-03-15; US61/468,918 2011-03-29
- 国际申请： PCT/US2011/054301 2011-09-30
- 国际公布： WO2012044978 2012-04-05
- 主分类号： H01L31/04
- IPC分类号： H01L31/04 ; H01L31/06 ; H01L31/18
摘要：
본 발명의 구체예는 용액 기반 전구체로부터 도핑된 갈륨 아르제나이드 기반 (GaAs) 층을 형성시키는 방법을 제공한다. 용액 기반 전구체로부터 형성된 도핑된 갈륨 아르제나이드 기반 (GaAs) 층은 태양 전지 소자가 광 흡수 및 변환 효율을 개선시키는데 도움을 줄 수 있다. 일 구체예에서, 태양 전지 소자를 형성시키는 방법은 기판의 표면 위에 제 1 타입의 도펀트가 도핑된 제 1 층을 형성시키는 단계, 상기 제 1 층 상에 GaAs 기반 층을 형성시키는 단계, 및 상기 GaAs 기반 층 상에 제 2 타입의 도펀트가 도핑된 제 2 층을 형성시키는 단계를 포함한다.
摘要（英）：
Embodiments of the present invention provides a method of forming a gallium arsenide-based first (GaAs) layer doped from a solution-based precursor. Doped gallium arsenide based on the (GaAs) layer is formed from a solution-based precursor is a solar cell device can help to improve the light absorption and conversion efficiencies. In one embodiment, a method of forming a solar cell device comprises the steps of forming a first layer of a first type on the surface of the substrate dopant is doped, forming a GaAs-based layer on the first layer, and the GaAs and based on the first layer includes the step of forming a second layer of a second type dopant is doped.
公开/授权文献:
- KR101875159B1 갈륨 아르제나이드 광흡수층을 지닌 고효율 태양 전지 소자 公开/授权日：2018-07-06