基本信息:
- 专利标题： 초고도 선택비 애쉬어블 하드마스크 막
- 专利标题（英）：Ultra high selectivity ashable hard mask film
- 专利标题（中）：超高选择性的硬掩膜
- 申请号：KR1020127033306 申请日：2011-04-27
- 公开(公告)号：KR1020130113958A 公开(公告)日：2013-10-16
- 发明人： 이,광덕더글라스 , 시몬스,마틴제이 , 라티,수드하 , 찬,치우 , 린,마이클에이치.
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US12/784,341 2010-05-20
- 国际申请： PCT/US2011/034185 2011-04-27
- 国际公布： WO2011146212 2011-11-24
- 主分类号： H01L21/312
- IPC分类号： H01L21/312 ; H01L21/3065
摘要：
기판 프로세싱 챔버의 기판상에 비정질 탄소층을 형성하는 방법은 프로세싱 챔버 내로 탄화수소 소스를 도입하는 단계, 상기 프로세싱 챔버 내로 아르곤을 단독으로 도입하거나 또는 헬륨, 수소, 질소, 및 그 조합물들과 조합하여 도입하는 단계, 약 2 Torr 내지 10 Torr 의 실질적으로 낮은 압력으로 상기 프로세싱 챔버에 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 상기 기판상에 컨포멀 비정질 탄소층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 아르곤은 탄화수소 소스 체적 유량에 대해 약 10:1 내지 약 20:1의 체적 유량을 갖는다.
摘要（英）：
A method of forming an amorphous carbon layer on a substrate in the substrate processing chamber comprising: introducing a hydrocarbon source, introducing argon alone into the processing chamber, or helium, hydrogen, nitrogen, and introducing the combination of the waters with the combination into the processing chamber a step, substantially at a low pressure of about 2 Torr to about 10 Torr for generating a plasma in the processing chamber; And the substrate, and a conformal including forming an amorphous carbon layer on the argon is from about 10 for the hydrocarbon source volume flow rate: has a volume flow rate of from 1: 1 to about 20.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/312 | ......有机层，例如光刻胶 |