基本信息:
- 专利标题： 고강도 다이아몬드-SiC 성형체 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：High strength diamond-sic compacts and method of making same
- 专利标题（中）：高强度金刚石复合材料及其制造方法
- 申请号：KR1020127030303 申请日：2011-05-19
- 公开(公告)号：KR1020130108070A 公开(公告)日：2013-10-02
- 发明人： 이슬리토마스찰스
- 申请人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.
- 申请人地址： **** HUNTLEY ROAD, WORTHINGTON, OHIO *****, UNITED STATES OF AMERICA
- 专利权人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.
- 当前专利权人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.
- 当前专利权人地址： **** HUNTLEY ROAD, WORTHINGTON, OHIO *****, UNITED STATES OF AMERICA
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： US61/346,235 2010-05-19
- 国际申请： PCT/US2011/037119 2011-05-19
- 国际公布： WO2011146697 2011-11-24
- 主分类号： C04B35/52
- IPC分类号： C04B35/52 ; C04B35/63 ; C04B35/645 ; B01J3/06
摘要：
본 발명은 약 2 중량% 미만의 미반응 Si 및 약 1 중량% 미만의 흑연을 갖는 탄화 규소 (SiC) 결합된 다이아몬드 성형체 뿐만 아니라 이 탄화 규소 (SiC) 결합된 다이아몬드 성형체를 제조하기 위한 방법을 제공한다.
摘要（英）：
The present invention provides a method for not only silicon carbide (SiC) bonded diamond shaped article having a graphite under the unreacted Si and about 1% by weight of less than about 2% by weight as the production of a silicon carbide (SiC) bonded diamond shaped article do.