基本信息:
- 专利标题： 고밀도 사이리스터 RAM 소자 및 방법
- 专利标题（英）：High density thyristor random access memory device and method
- 专利标题（中）：高密度THYRISTOR随机访问存储器件及方法
- 申请号：KR1020137004069 申请日：2011-07-19
- 公开(公告)号：KR1020130094801A 公开(公告)日：2013-08-26
- 发明人： 매튜,스라즈제이. , 모울리,챈드라
- 申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 申请人地址： **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 专利权人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 当前专利权人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
- 当前专利权人地址： **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 代理人： 양영준; 백만기
- 优先权： US12/838,803 2010-07-19
- 国际申请： PCT/US2011/044546 2011-07-19
- 国际公布： WO2012012435 2012-01-26
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L27/115 ; H01L21/8247
摘要：
메모리 소자 및 메모리 소자 제조 방법이 도시된다. 도시되는 방법 및 구조는 메모리 밀도 증가를 위해 접힌 형태의 수직 메모리 소자를 제공한다. 제공되는 방법은 메모리 어레이 내의 트레이스 배선(trace wiring)이 메모리 소자의 표면 상에 또는 근처에 형성되게 한다.
摘要（英）：
The memory element and memory device manufacturing method is shown. Illustrated method and structure provides a vertical memory device of the folded form for increased memory density. Method provided is formed at or near the surface of the memory element of the wiring traces (trace wiring) in a memory array.
公开/授权文献:
- KR101875677B1 고밀도 사이리스터 RAM 소자 및 방법 公开/授权日：2018-08-02
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/10 | ...在重复结构中包括有多个独立组件的 |