基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치의 제작 방법
- 专利标题（英）：Method for manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：KR1020137019698 申请日：2010-12-07
- 公开(公告)号：KR1020130091785A 公开(公告)日：2013-08-19
- 发明人： 야마자키순페이 , 히로하시타쿠야 , 타카하시마사히로 , 시마즈타카시
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 황의만
- 优先权： JPJP-P-2009-296825 2009-12-28
- 国际申请： PCT/JP2010/072313 2010-12-07
- 国际公布： WO2011081009 2011-07-07
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; G02F1/136
기판 위에 제 1 다원계 산화물 반도체층을 형성하고, 제 1 다원계 산화물 반도체층 위에 1원계 산화물 반도체층을 형성하고, 500℃ 이상 1000℃ 이하, 바람직하게는 550℃ 이상 750℃ 이하의 가열 처리를 행하여 표면에서 내부를 향하여 결정 성장시키고, 제 1 단결정 영역을 가지는 다원계 산화물 반도체층, 및 단결정 영역을 가지는 1원계 산화물 반도체층을 형성하고, 단결정 영역을 가지는 1원계 산화물 반도체층 위에 제 2 단결정 영역을 가지는 다원계 산화물 반도체층을 적층한다.
And at the same time enables a large area of a substrate, crystallinity of forming an excellent oxide semiconductor layer, and can be produced, a transistor having a high field-effect mobility of the desired, such as a large display device or a high-performance semiconductor device it plans to put into practice.
Forming a first multi-element oxide semiconductor layer on the substrate, and the first multi-element oxide semiconductor layer to form a first ternary oxide semiconductor layer over, and 500 ℃ more than 1000 ℃ or less, preferably to a heat treatment of not less than 550 ℃ 750 ℃ performed toward the inside from the surface of the crystal growth and, the first having a single-crystal region to form a first ternary oxide semiconductor layer having a multi-element oxide semiconductor layer, and the single-crystal region, and the second single-crystal region on the first binary oxide semiconductor layer having a single-crystal region and stacking a semiconductor layer having a multi-element oxide.
公开/授权文献:
- KR101436120B1 반도체 장치의 제작 방법 公开/授权日：2014-09-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |