基本信息:
- 专利标题： 스퍼터링 타겟
- 专利标题（英）：Sputtering target
- 专利标题（中）：飞溅目标
- 申请号：KR1020127031466 申请日：2011-06-01
- 公开(公告)号：KR1020130085947A 公开(公告)日：2013-07-30
- 发明人： 도마이시게카즈 , 에바타가즈아키 , 마츠자키시게오 , 야노고키
- 申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 代理人： 제일특허법인
- 优先权： JPJP-P-2010-126497 2010-06-02
- 国际申请： PCT/JP2011/003087 2011-06-01
- 国际公布： WO2011152048 2011-12-08
- 主分类号： C04B35/00
- IPC分类号： C04B35/00 ; C23C14/34 ; H01L21/363
摘要：
인듐(In), 갈륨(Ga) 및 +3가 및/또는 +4가의 금속 X의 산화물을 함유하고, In과 Ga의 합계에 대한 금속 X의 배합량이 100 내지 10000ppm(중량)인 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
摘要（中）：
包含铟（In），镓（Ga）和正三价和/或正四价金属X的氧化物的氧化物烧结体，其中金属X相对于In和Ga的总量的量为100至10000ppm （重量）。
摘要（英）：
Containing indium (In), gallium (Ga), and the +3 and / or +4 of the divalent metal oxide and X, characterized in that the amount of metal X of the total of In and Ga from 100 to 10000ppm (by weight) oxide-sintered body.
公开/授权文献:
- KR102012853B1 스퍼터링 타겟 公开/授权日：2019-08-21