基本信息:
- 专利标题： 펨토초-기반의 레이저를 이용한 웨이퍼 다이싱 및 플라즈마 식각
- 专利标题（英）：Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
- 专利标题（中）：使用基于FEMTOSECOND的激光和等离子体蚀刻的抛光
- 申请号：KR1020127028305 申请日：2011-06-20
- 公开(公告)号：KR1020130083381A 公开(公告)日：2013-07-22
- 发明人： 레이,웨이-쉥 , 이튼,브래드 , 얄라만칠리,마드하바라오 , 싱흐,사라브지트 , 쿠마르,아제이 , 홀덴,제임스엠.
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인에이아이피
- 优先权： US13/160,713 2011-06-15; US61/357,468 2010-06-22
- 国际申请： PCT/US2011/041126 2011-06-20
- 国际公布： WO2011163149 2011-12-29
- 主分类号： H01L21/301
- IPC分类号： H01L21/301
摘要：
복수의 집적 회로들을 각각 갖는 반도체 웨이퍼들을 다이싱(dicing)하는 방법들이 설명된다. 방법은 반도체 웨이퍼 위에 마스크를 형성하는 단계를 포함한다. 마스크는 집적 회로들을 피복 및 보호하는 층으로 구성된다. 마스크는 갭(gap)들을 갖는 패터닝된 마스크를 제공하기 위하여 펨토초-기반의 레이저 스크라이빙 프로세스(femtosecond-based laser scribing process)로 패터닝된다. 패터닝은 집적 회로들 사이의 반도체 웨이퍼의 영역들을 노출한다. 다음으로, 집적 회로들을 싱귤레이팅하기 위하여, 반도체 웨이퍼는 패터닝된 마스크 내의 갭(gap)들을 통해 식각된다.
摘要（英）：
Method for the semiconductor die, each having a plurality of integrated circuit wafer dicing (dicing) are described. Method comprises the steps of forming a mask on the semiconductor wafer. Mask is composed of a layer for covering and protecting the integrated circuit. Mask gap femtosecond to provide a patterned mask having a (gap) - and is patterned by the laser scribing process based (femtosecond-based laser scribing process). Patterning exposes regions of the semiconductor wafer between the integrated circuit. Next, to the rating of the integrated circuit singulation, the semiconductor wafer is etched through the gaps (gap) in the patterned mask.
公开/授权文献:
- KR101511648B1 펨토초-기반의 레이저를 이용한 웨이퍼 다이싱 및 플라즈마 식각 公开/授权日：2015-04-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/301 | .....把半导体再细分成分离部分，例如分隔 |