基本信息:
- 专利标题： 전류 차단 구조들을 가지는 발광소자들 및 전류 차단 구조들을 가지는 발광소자들의 제조방법들
- 专利标题（英）：Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures
- 专利标题（中）：具有电流阻塞结构的发光装置和制造具有电流阻塞结构的发光装置的方法
- 申请号：KR1020137007789 申请日：2005-03-30
- 公开(公告)号：KR1020130050372A 公开(公告)日：2013-05-15
- 发明人： 하베런케빈 , 버그만마이클존 , 미에츠코우스키반 , 에머슨데이비드토드 , 에드몬드존
- 申请人： 크리 인코포레이티드
- 申请人地址： 미국 노쓰 캐롤라이나 *****-**** 더럼 실리콘 드라이브 ****
- 专利权人： 크리 인코포레이티드
- 当前专利权人： 크리 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： 미국 노쓰 캐롤라이나 *****-**** 더럼 실리콘 드라이브 ****
- 代理人： 양영준; 백만기; 정은진
- 优先权： US10/881,814 2004-06-30
- 国际申请： PCT/US2005/010868 2005-03-30
- 国际公布： WO2006011936 2006-02-02
- 主分类号： H01L33/36
- IPC分类号： H01L33/36
摘要：
와이어 본드 패드 바로 아래에서 전류 차단 메커니즘을 가지는 발광소자들 및 발광소자들의 제조방법들이 제공된다. 상기 전류 차단 메커니즘은 소자의 액티브 영역에서 감소된 도전 영역일 수 있다. 상기 전류 차단 메커니즘은 콘택이 그 위에 형성되는 데미지 영역일 수 있다. 상기 전류 차단 메커니즘은 소자의 오믹 콘택과 액티브 영역 사이에 쇼트키 콘택일 수 있다. PN 접합과 같은 반도체 접합이 또한 오믹 콘택과 액티브 영역 사이에 제공될 수 있다.
摘要（英）：
In the wire bond pad having a current just below the blocking mechanism is provided with the manufacturing method of light-emitting elements and the light emitting element. The current cut-off mechanism may be a conductive region in an active area of the device decreases. The current cut-off mechanism can be a damage region contact is formed thereon. The current cut-off mechanism may be a Schottky contact between the ohmic contact and the active region of the device. A semiconductor junction such as a PN junction, can also be provided between the ohmic contact and the active region.
公开/授权文献:
- KR101418224B1 전류 차단 구조들을 가지는 발광소자들 및 전류 차단 구조들을 가지는 발광소자들의 제조방법들 公开/授权日：2014-07-10