基本信息:
- 专利标题： 레티클 형성용 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법
- 专利标题（英）：Exposure system for forming a reticle and method for manufacturing the reticle
- 专利标题（中）：用于制造反应物的曝光系统和制造方法
- 申请号：KR1020110085039 申请日：2011-08-25
- 公开(公告)号：KR1020130044385A 公开(公告)日：2013-05-03
- 发明人： 최진 , 정진하 , 블라디미르우라자에브 , 이혜연
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 박영우
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F1/36 ; G03F1/00 ; G03F7/20
摘要：
PURPOSE: An exposure system for forming a reticle and a method for manufacturing the reticle are provided to manufacture a reticle having various shapes of pattern without deflecting an electron beam by moving a second aperture plate. CONSTITUTION: A blank reticle(32) coated with a photosensitive layer is loaded. A second aperture plate(20) is moved so that an electronic beam passing through a second aperture for a first pattern and maintains the optical axis of the electronic beam passing through a first aperture(14a). A photosensitive film is exposed using the first electronic beam passing through the second aperture for the first pattern to form a first exposure pattern(40a). The position of the second aperture plate is changed so that the electronic beam passes through the second aperture(22b) for a second pattern and its optical axis is maintained. The photosensitive film is exposed using the second electronic beam passing through the second aperture for the second pattern to form a second exposure pattern(40b). [Reference numerals] (AA) Second area; (BB) First area
摘要（中）：
目的：提供一种用于形成掩模版的曝光系统和用于制造掩模版的方法，以通过移动第二孔板来制造具有各种图案形状而不偏转电子束的掩模版。 构成：装载涂有感光层的空白掩模版（32）。 移动第二孔板（20）使得电子束通过用于第一图案的第二孔径并且保持电子束的光轴通过第一孔（14a）。 使用通过用于第一图案的第二孔的第一电子束曝光感光膜，以形成第一曝光图案（40a）。 改变第二孔板的位置，使得电子束通过第二孔（22b）以保持第二图案并保持其光轴。 使用通过用于第二图案的第二孔的第二电子束曝光感光膜，以形成第二曝光图案（40b）。 （附图标记）（AA）第二区域; （BB）第一区
公开/授权文献:
- KR101977801B1 레티클 형성용 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법 公开/授权日：2019-08-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |