基本信息:
- 专利标题： 순환적인 산화 및 에칭을 위한 장치 및 방법
- 专利标题（英）：Apparatus and methods for cyclical oxidation and etching
- 专利标题（中）：用于循环氧化和蚀刻的设备和方法
- 申请号：KR1020127026542 申请日：2011-03-10
- 公开(公告)号：KR1020130016269A 公开(公告)日：2013-02-14
- 发明人： 강굴리,우다얀 , 라니쉬,조셉,엠. , 헌터,아론,엠. , 탕,징 , 올슨,크리스토퍼,에스. , 스코트니-캐슬,매튜,디. , 응우옌,빅키 , 스리니바산,스와미나탄 , 스웬버그,요하네스,에프. , 왕,안추안 , 잉글,니틴,케이 , 헴카르,마니쉬 , 마린,조세,에이.
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US12/720,957 2010-03-10
- 国际申请： PCT/US2011/027900 2011-03-10
- 国际公布： WO2011112812 2011-09-15
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/02 ; H01L21/67 ; H01L21/687 ; H01L27/115
摘要：
협소한 피치 적용예들에 적합한 반도체 디바이스들을 제조하기 위한 장치들 및 방법들이 여기에서 기술된다. 산화물 층을 형성하기 위해서 재료 층의 표면을 산화시키는 단계; 에칭 프로세스에 의해서 산화물 층의 적어도 일부를 제거하는 단계; 그리고 재료 층이 원하는 형상으로 형성될 때까지 산화 및 제거 프로세스들을 주기적으로 반복하는 단계에 의해서, 재료 층을 형성 및/또는 성형하도록 구성된 다양한 단일 챔버들이 본원에서 개시된다. 일부 실시예들에서, 재료 층은 반도체 디바이스의 플로팅 게이트일 수 있을 것이다.
摘要（英）：
The apparatus for fabricating a semiconductor device suitable for the application for example, a narrow pitch and methods are described herein. Oxidizing the surface of the material layer to form an oxide layer; Removing at least a portion of the oxide layer by an etching process; And a variety of single chamber are disclosed herein are configured to periodically material layer is a material layer by forming and / or shaping of the oxidation and the removal process repeated until it is formed into a desired shape. In some embodiments, the material layer will be a floating gate of a semiconductor device.
公开/授权文献:
- KR101773373B1 순환적인 산화 및 에칭을 위한 장치 및 방법 公开/授权日：2017-08-31
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |