基本信息:
- 专利标题： 고전압 바이폴라-ＣＭＯＳ-ＤＭＯＳ 집적회로 디바이스와 이를 형성하는 모듈러 방법
- 专利标题（英）：High-voltage bipolar-cmos-dmos integrated circuit devices and modular methods of forming the same
- 申请号：KR1020127033560 申请日：2007-05-30
- 公开(公告)号：KR1020130006544A 公开(公告)日：2013-01-16
- 发明人： 윌리엄스리차드케이. , 디즈니도날드레이 , 첸준-웨이 , 찬와이티엔 , 류형식
- 申请人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 申请人地址： **** Scott Blvd., Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 当前专利权人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 当前专利权人地址： **** Scott Blvd., Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 양영준; 백만기; 정은진
- 优先权： US11/443,745 2006-05-31
- 国际申请： PCT/US2007/012686 2007-05-30
- 国际公布： WO2007142937 2007-12-13
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
에피택셜층을 포함하지 않는 기판에 다양한 반도체 디바이스를 제조하기 위해 아주 저온의 프로세스가 사용된다. 상기 디바이스는 비-절연 수평 D-MOS. 비-절연 확장 드레인 또는 드리프트 MOS 디바이스, 수평 트렌치 DMOS, 절연 수평 DMOS, JFET 및 공핍-모드 디바이스, 및 PN 다이오드 클램프 및 정류기와 접합 종단을 포함한다. 상기 프로세스는 고온 프로세스의 필요를 제거하고 "주입된대로(as-implanted)" 불순물 프로파일을 을 사용하기 때문에, 상기 나머지 요소들을 생성하기 위해 사용된 프로세스를 변경할 필요없이 IC에 디바이스를 부가하거나 생략하는 것을 허용하는 모듈러 아키텍처를 구성한다.
摘要（英）：
A very low temperature of the process is used to manufacture various semiconductor devices on a substrate that does not include an epitaxial layer. Wherein the device is a non-isolated horizontal D-MOS. It includes a mode devices, and PN junction diode clamps and rectifiers and Termination - non-insulated extended drain or drift MOS device, horizontal trench DMOS, insulated horizontal DMOS, JFET and depletion. The process of removing the need for a high temperature process, and because it uses the "as implanted (as-implanted)" impurity profile, add or omit the device to the IC without having to change the process used to generate the remaining elements constitute a modular architecture that allows the.
公开/授权文献:
- KR101267770B1 고전압 바이폴라-ＣＭＯＳ-ＤＭＯＳ 집적회로 디바이스와 이를 형성하는 모듈러 방법 公开/授权日：2013-05-27
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |