基本信息:
- 专利标题： 비도핑 클래드층 및 다중 양자 우물을 가진 제ＩＩＩ족 질화물 ＬＥＤ
- 专利标题（英）：Group iii nitride led with undoped cladding layer and multiple quantum well
- 专利标题（中）：具有未掺杂包层和多量子阱的III族氮化物LED
- 申请号：KR1020127031650 申请日：2003-05-20
- 公开(公告)号：KR1020130006534A 公开(公告)日：2013-01-16
- 发明人： 에드몬드존애덤 , 도버스파이크캐슬린마리 , 콩화-슈앙 , 버그만마이클존 , 에머슨데이비드토드
- 申请人： 크리 인코포레이티드
- 申请人地址： 미국 노쓰 캐롤라이나 *****-**** 더럼 실리콘 드라이브 ****
- 专利权人： 크리 인코포레이티드
- 当前专利权人： 크리 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： 미국 노쓰 캐롤라이나 *****-**** 더럼 실리콘 드라이브 ****
- 代理人： 유미특허법인
- 优先权： US10/159,893 2002-05-30
- 国际申请： PCT/US2003/015723 2003-05-20
- 国际公布： WO2004008552 2004-01-22
- 主分类号： H01L33/04
- IPC分类号： H01L33/04 ; H01L33/12 ; H01L33/06 ; H01L33/32
x In
y Ga
1
-xy N(여기서, 0≤x≤1이고 0≤y＜1이며 (x+y)≤1임)으로 이루어지는 제1 n형 클래딩층; Al
x In
y Ga
1
-xy N(여기서, 0≤x≤1이고 0≤y＜1이며 (x+y)≤1임)으로 이루어지고, 실질적으로 마그네슘이 없는 것을 특징으로 하는 제2 n형 클래딩층; 대응하는 복수의 Al
x In
y Ga
1
-x-
y N 배리어층(여기서, 0≤x≤1이고 0≤y≤1임)에 의해 분리된 복수의 In
x Ga
1
-
x N 우물층(well layer)(여기서, 0＜x＜1임)을 가진 다중 양자 우물 형태로 상기 제1 클래딩층과 제2 클래딩층 사이에 위치한 활성부; 및 제III족 질화물로 이루어지는 p형층을 포함하고, 상기 제2 n형 클래딩층은 상기 p형층과 상기 다중 양자 우물 사이에 위치하고, 상기 제1 n형 클래딩층과 상기 제2 n형 클래딩층은 각각 상기 우물층의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 각각 가진다. 바람직한 실시예에서, 제III족 질화물 초격자가 상기 다중 양자 우물을 지지한다.
The present invention is a semiconductor structure for light emitting devices capable of emitting light in the red light to the ultraviolet light region of the electromagnetic spectrum. The structure, Al
x In
y Ga
1
-xy N (where, 0≤x≤1 and 0≤y <1 and (x + y) ≤1 Im) of claim 1 made of n-type cladding layer;
Al x In y Ga 1 -xy N ( where, 0≤x≤1 and 0≤y <1 and (x + y) ≤1 Lim) is made, the claim 2 characterized in that n-type is substantially free of magnesium cladding layer; Corresponding plurality of
Al x In y Ga 1 -x- y N barrier layer (where, 0≤x≤1 and 0≤y≤1 Im) to the separation of revenge by
In x Ga 1 - x N well layers (well layer) (where, 0 <x <1, Im) the active portion located between the multiple quantum well layer to form the first cladding and the second cladding layer having a; And stage III comprises a p-type layer made of a nitride, and wherein the 2 n-type cladding layer is the p-type layer and positioned between the multiple quantum well, wherein 1 n-type cladding layer and the first 2 n-type cladding layer are each each have a larger band gap than the band gap of the well layer. In a preferred embodiment, the Group III nitride superlattice is to support the multi-quantum well.
公开/授权文献:
- KR101327342B1 비도핑 클래드층 및 다중 양자 우물을 가진 제ＩＩＩ족 질화물 ＬＥＤ 公开/授权日：2013-11-11