基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：KR1020120057195 申请日：2012-05-30
- 公开(公告)号：KR1020120134056A 公开(公告)日：2012-12-11
- 发明人： 오마루다쿠로
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 장훈
- 优先权： JPJP-P-2011-121559 2011-05-31
- 主分类号： H03K19/177
- IPC分类号： H03K19/177 ; H01L21/82
摘要：
PURPOSE: A semiconductor device is provide to precisely convert the output of a unit cell by controlling the output of the unit cell through an electric potential which is supplied to a node of a transistor. CONSTITUTION: A unit cell(320) is electrically connected to a bit line, a unit cell selection line, an analog device selection line, an input signal line, and an output signal line. The unit cell comprises a first transistor(340), a second transistor(350), a third transistor(342), and a fourth transistor(352), and an analog device(310). The unit cell selection line and a gate electrode of the first transistor are electrically connected. The bit line is connected to either a source electrode or a drain electrode of the first transistor and either a source electrode or a drain electrode of the third transistor. The analog device selection line and a gate electrode of the third transistor are electrically connected.
摘要（中）：
目的：通过控制晶体管节点的电位来控制晶体管的输出，提供半导体器件来精确地转换晶体管的输出。 构成：单元电池（320）电连接到位线，单元电池选择线，模拟装置选择线，输入信号线和输出信号线。 单元包括第一晶体管（340），第二晶体管（350），第三晶体管（342）和第四晶体管（352），以及模拟装置（310）。 单元电池选择线和第一晶体管的栅电极电连接。 位线连接到第一晶体管的源电极或漏电极，以及第三晶体管的源电极或漏电极。 模拟装置选择线和第三晶体管的栅电极电连接。
公开/授权文献:
- KR101899792B1 반도체 장치 公开/授权日：2018-09-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03K | 脉冲技术 |
| ------H03K19/00 | 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的；倒向电路 |
| --------H03K19/01 | .提高开关速度的改进 |
| ----------H03K19/173 | ..应用基本逻辑电路作组件的 |
| ------------H03K19/177 | ...矩阵式排列的 |