基本信息:
- 专利标题： 광전 변환 소자 및 촬상 디바이스 그리고 그 구동 방법
- 专利标题（英）：Photoelectric element and imaging device and driving methods therefor
- 专利标题（中）：光电元件及成像装置及其驱动方法
- 申请号：KR1020127020873 申请日：2011-02-08
- 公开(公告)号：KR1020120125286A 公开(公告)日：2012-11-14
- 发明人： 노무라기미아츠 , 미츠이데츠로
- 申请人： 후지필름 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2010-026993 2010-02-09; JPJP-P-2011-015843 2011-01-27
- 国际申请： PCT/JP2011/053063 2011-02-08
- 国际公布： WO2011099606 2011-08-18
- 主分类号： H01L31/10
- IPC分类号： H01L31/10 ; H01L27/146 ; C07D209/86 ; C07D209/88
摘要：
광전 변환 소자는 도전성층, 유기 광전 변환층, 블로킹층 및 투명 도전성층을 포함하며, 유기 광전 변환층은 유리 전이 온도가 100℃ 이상이고 비정질층을 형성하는 p 형 유기 광전 변환 재료를 포함하고, 블로킹층은 유리 전이 온도가 140℃ 이상인 블로킹 재료를 포함한다.
摘要（英）：
A photoelectric conversion element comprises a conductive layer, an organic photoelectric conversion layer, a blocking layer and a transparent conductive layer, an organic photoelectric conversion layer has a glass transition temperature above 100 ℃ and includes a p-type organic photoelectric conversion material forming the amorphous layer, blocking layer comprises a blocking material the glass transition temperature is higher than 140 ℃.
公开/授权文献:
- KR101642546B1 광전 변환 소자 및 촬상 디바이스 그리고 그 구동 방법 公开/授权日：2016-07-25