基本信息:
- 专利标题： 솔더 확산 보호물을 갖는 반도체 칩 디바이스 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor chip device with solder diffusion protection
- 专利标题（中）：具有焊接扩展保护功能的半导体芯片器件
- 申请号：KR1020127017455 申请日：2010-12-11
- 公开(公告)号：KR1020120123303A 公开(公告)日：2012-11-08
- 发明人： 수마이클지.
- 申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Augustine Drive, Santa Clara, California *****, U.S.A.
- 专利权人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Augustine Drive, Santa Clara, California *****, U.S.A.
- 代理人： 박장원
- 优先权： US12/643,477 2009-12-21
- 国际申请： PCT/US2010/059981 2010-12-11
- 国际公布： WO2011084362 2011-07-14
- 主分类号： H01L23/31
- IPC分类号： H01L23/31 ; H01L23/42 ; H01L25/065
摘要：
반도체 디바이스에 대한 열 경로들을 확립하기 위한 다양한 방법들 및 장치가 개시된다. 일 양상에서, 기판 및 상기 기판 내로 제 1 거리(distance) 만큼 연장되는 제 1 활성(active) 회로 부분(40)을 갖는 제 1 반도체 칩(20)을 제공하는 단계를 포함하는 제조 방법이 제공된다. 제 1 반도체 칩(20) 내에는, 제 1 활성 회로 부분(40)을 둘러싸지만, 이로부터 측면으로 분리되고, 제 1 거리 보다 큰 제 2 거리 만큼 기판 내로 연장되는 장벽(135)이 형성된다.
摘要（英）：
Various methods and apparatus for establishing a thermal path to the semiconductor device is disclosed. In an aspect, there is provided a substrate and a production method that includes the step of: providing a semiconductor chip (20) having a first active (active) circuit portion (40) extending a first distance (distance) into the substrate . First the semiconductor chip 20, but surround the second part 40, first active circuit, from which is separated to the side barrier 135 is formed extending into the substrate by the large second distance than the first distance.
公开/授权文献:
- KR101636967B1 솔더 확산 보호물을 갖는 반도체 칩 디바이스 및 그 제조 방법 公开/授权日：2016-07-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/02 | .容器；封接 |
| ----------H01L23/31 | ..按配置特点进行区分的 |