基本信息:
- 专利标题： 고 주입 효율 극성 및 무극성 Ⅲ-질화물 광 에미터
- 专利标题（英）：High injection efficiency polar and non-polar iii-nitrides light emitters
- 专利标题（中）：高注射效率极性和非极性III型硝酸盐光发射体
- 申请号：KR1020127022916 申请日：2011-02-02
- 公开(公告)号：KR1020120123128A 公开(公告)日：2012-11-07
- 发明人： 키신미하일브이 , 엘-고루리허쎄인에스
- 申请人： 오스텐도 테크놀로지스 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Paseo del Norte, Suite ***, Carlsbad, California ***** U.S.A.
- 专利权人： 오스텐도 테크놀로지스 인코포레이티드
- 当前专利权人： 오스텐도 테크놀로지스 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Paseo del Norte, Suite ***, Carlsbad, California ***** U.S.A.
- 代理人： 특허법인신성
- 优先权： US13/014,002 2011-01-26; US61/301,523 2010-02-04
- 国际申请： PCT/US2011/023514 2011-02-02
- 国际公布： WO2011097325 2011-08-11
- 主分类号： H01S5/34
- IPC分类号： H01S5/34 ; H01L33/06
摘要：
극성 및 무극성 Ⅲ-질화물 발광 구조체의 주입 효율은 에미터의 MQW(Multiple Quantum Well) 활성 영역내의 다른 양자 우물의 불균일한 군집에 의해 크게 열화된다. 불균일 QW 군집은 깊은 활성 QW를 가진 장파장 에미터에서 더욱 크게 이루어진다. 극성 및 무극성 구조체에 있어서, 방출될 광의 원하는 파장에 의거한, 광학적 도파관층 및/또는 장벽층으로의 인듐 및/또는 알루미늄의 유입은 QW 군집의 균일성을 개선하고, 구조 주입 효율을 증가시킨다.
摘要（英）：
Polar and non-polar Ⅲ- injection efficiency of the nitride light-emitting structure is degraded significantly by non-uniform populations of different quantum wells within the MQW (Multiple Quantum Well) active region of the emitter. QW heterogeneous communities are made more significant in the long wavelength emitter with a deep active QW. In polar and non-polar structure, based on the light desired wavelength to be emitted, an optical waveguide layer and / or indium and / or inflow of the aluminum of the barrier layer and improving the uniformity of the QW crowded, thus increasing the structural injection efficiency.
公开/授权文献:
- KR101527840B1 고 주입 효율 극성 및 무극성 Ⅲ-질화물 광 에미터 公开/授权日：2015-06-11